发光学报
髮光學報
발광학보
CHINESE JOURNAL OF LUMINESCENCE
2005年
4期
517-520
,共4页
胡加辉%朱军山%冯玉春%张建宝%李忠辉%郭宝平%徐岳生
鬍加輝%硃軍山%馮玉春%張建寶%李忠輝%郭寶平%徐嶽生
호가휘%주군산%풍옥춘%장건보%리충휘%곽보평%서악생
氮化镓%Si(111)%金属有机化学气相沉积%双晶X射线衍射
氮化鎵%Si(111)%金屬有機化學氣相沉積%雙晶X射線衍射
담화가%Si(111)%금속유궤화학기상침적%쌍정X사선연사
利用LP-MOCVD在Si(111)衬底上,以高温AlN为缓冲层,分别用低温GaN(LT-GaN)和偏离化学计量比富Ga高温GaN(HT-GaN)为过渡层外延生长六方相GaN薄膜.采用高分辨率双晶X射线衍射(DCXRD),扫描电子显微镜(SEM),原子力显微镜(AFM)和室温光致荧光光谱(RT-PL)进行分析.结果表明,有偏离化学计量比富Ga HT-GaN为过渡层生长的GaN薄膜质量和光致荧光特性均明显优于以LT-GaN为过渡层生长的GaN薄膜,得到GaN(0002)和(10-12)的DCXRD峰,其半峰全宽(FWHM)分别为698 s和842 s,室温下的光致荧光光谱在361 nm处有一个很强的发光峰,其半峰全宽为44.3 meV.
利用LP-MOCVD在Si(111)襯底上,以高溫AlN為緩遲層,分彆用低溫GaN(LT-GaN)和偏離化學計量比富Ga高溫GaN(HT-GaN)為過渡層外延生長六方相GaN薄膜.採用高分辨率雙晶X射線衍射(DCXRD),掃描電子顯微鏡(SEM),原子力顯微鏡(AFM)和室溫光緻熒光光譜(RT-PL)進行分析.結果錶明,有偏離化學計量比富Ga HT-GaN為過渡層生長的GaN薄膜質量和光緻熒光特性均明顯優于以LT-GaN為過渡層生長的GaN薄膜,得到GaN(0002)和(10-12)的DCXRD峰,其半峰全寬(FWHM)分彆為698 s和842 s,室溫下的光緻熒光光譜在361 nm處有一箇很彊的髮光峰,其半峰全寬為44.3 meV.
이용LP-MOCVD재Si(111)츤저상,이고온AlN위완충층,분별용저온GaN(LT-GaN)화편리화학계량비부Ga고온GaN(HT-GaN)위과도층외연생장륙방상GaN박막.채용고분변솔쌍정X사선연사(DCXRD),소묘전자현미경(SEM),원자력현미경(AFM)화실온광치형광광보(RT-PL)진행분석.결과표명,유편리화학계량비부Ga HT-GaN위과도층생장적GaN박막질량화광치형광특성균명현우우이LT-GaN위과도층생장적GaN박막,득도GaN(0002)화(10-12)적DCXRD봉,기반봉전관(FWHM)분별위698 s화842 s,실온하적광치형광광보재361 nm처유일개흔강적발광봉,기반봉전관위44.3 meV.
