硅酸盐学报
硅痠鹽學報
규산염학보
JOURNAL OF THE CHINESE CERAMIC SOCIETY
2003年
9期
892-895
,共4页
谭俊茹%沈腊珍%付贤松%侯文祥%陈秀增
譚俊茹%瀋臘珍%付賢鬆%侯文祥%陳秀增
담준여%침석진%부현송%후문상%진수증
导电颜料%纳米级%导电机理%成核过程%湿法
導電顏料%納米級%導電機理%成覈過程%濕法
도전안료%납미급%도전궤리%성핵과정%습법
以尿素为沉淀剂,利用均匀沉淀法制备出性能优异的xSb2O3@(1-x)SnO2导电颜料,其粒径约为10 nm,电阻率为36.70 Ω@cm.对不同制备方法做对比,结果表明:采用均匀沉淀法所制颜料导电性能明显优于干法.在xSb2O3@(1-x)SnO2前驱体形成过程中有均相成核与非均相成核,以非均相成核为主.通过对样品进行TG-DTA,XRD测试,以及晶胞参数的变化,证实掺锑二氧化锡的半导体化是由Sb3+与Sb5+取代Sn4+的格位所致,其导电性能随锑的氧化态变化而改变.
以尿素為沉澱劑,利用均勻沉澱法製備齣性能優異的xSb2O3@(1-x)SnO2導電顏料,其粒徑約為10 nm,電阻率為36.70 Ω@cm.對不同製備方法做對比,結果錶明:採用均勻沉澱法所製顏料導電性能明顯優于榦法.在xSb2O3@(1-x)SnO2前驅體形成過程中有均相成覈與非均相成覈,以非均相成覈為主.通過對樣品進行TG-DTA,XRD測試,以及晶胞參數的變化,證實摻銻二氧化錫的半導體化是由Sb3+與Sb5+取代Sn4+的格位所緻,其導電性能隨銻的氧化態變化而改變.
이뇨소위침정제,이용균균침정법제비출성능우이적xSb2O3@(1-x)SnO2도전안료,기립경약위10 nm,전조솔위36.70 Ω@cm.대불동제비방법주대비,결과표명:채용균균침정법소제안료도전성능명현우우간법.재xSb2O3@(1-x)SnO2전구체형성과정중유균상성핵여비균상성핵,이비균상성핵위주.통과대양품진행TG-DTA,XRD측시,이급정포삼수적변화,증실참제이양화석적반도체화시유Sb3+여Sb5+취대Sn4+적격위소치,기도전성능수제적양화태변화이개변.
