电子元件与材料
電子元件與材料
전자원건여재료
ELECTRONIC COMPONENTS & MATERIALS
2003年
6期
11-13
,共3页
多晶体氧化物半导体%晶界%电导%材料常数
多晶體氧化物半導體%晶界%電導%材料常數
다정체양화물반도체%정계%전도%재료상수
主要讨论NTC多晶氧化物半导体中晶界对电导的影响.研究表明,NTC多晶氧化物半导体的电导是由晶粒中载流子的热激发并穿过晶界势垒形成的,电导同时受晶粒和晶界的控制;材料的电阻–温度特性不是严格的指数曲线;材料常数与温度有关.因此,研究晶界的行为,对制备高性能NTC材料具有重要意义.
主要討論NTC多晶氧化物半導體中晶界對電導的影響.研究錶明,NTC多晶氧化物半導體的電導是由晶粒中載流子的熱激髮併穿過晶界勢壘形成的,電導同時受晶粒和晶界的控製;材料的電阻–溫度特性不是嚴格的指數麯線;材料常數與溫度有關.因此,研究晶界的行為,對製備高性能NTC材料具有重要意義.
주요토론NTC다정양화물반도체중정계대전도적영향.연구표명,NTC다정양화물반도체적전도시유정립중재류자적열격발병천과정계세루형성적,전도동시수정립화정계적공제;재료적전조–온도특성불시엄격적지수곡선;재료상수여온도유관.인차,연구정계적행위,대제비고성능NTC재료구유중요의의.
