半导体学报
半導體學報
반도체학보
CHINESE JOURNAL OF SEMICONDUCTORS
2002年
9期
972-976
,共5页
石艳玲%卿健%忻佩胜%朱自强%赖宗声
石豔玲%卿健%忻珮勝%硃自彊%賴宗聲
석염령%경건%흔패성%주자강%뢰종성
MEMS相移器%铝硅合金膜%高阻硅(HR-Si)%下拉电压
MEMS相移器%鋁硅閤金膜%高阻硅(HR-Si)%下拉電壓
MEMS상이기%려규합금막%고조규(HR-Si)%하랍전압
级联式MEMS相移器可通过悬浮于共平面波导之上的微机械可调电容的变化,来改变传输线的特性阻抗和相速,达到相移的目的.文中讨论了MEMS相移器特性对微机械电容和下拉电压的要求,并通过轻质量的铝硅合金弹性膜,获得了较低的下拉电压.测试结果表明,相移器的下拉电压不大于40V,且当控制电压大于10V时,即有明显的相移.该MEMS相移器制备于电阻率大于4000Ω*cm的高阻硅衬底上,获得了较好的传输特性,在整个测试频段1～40GHz,S21均小于3dB,并在25V时获得了大于25°的相移量.
級聯式MEMS相移器可通過懸浮于共平麵波導之上的微機械可調電容的變化,來改變傳輸線的特性阻抗和相速,達到相移的目的.文中討論瞭MEMS相移器特性對微機械電容和下拉電壓的要求,併通過輕質量的鋁硅閤金彈性膜,穫得瞭較低的下拉電壓.測試結果錶明,相移器的下拉電壓不大于40V,且噹控製電壓大于10V時,即有明顯的相移.該MEMS相移器製備于電阻率大于4000Ω*cm的高阻硅襯底上,穫得瞭較好的傳輸特性,在整箇測試頻段1～40GHz,S21均小于3dB,併在25V時穫得瞭大于25°的相移量.
급련식MEMS상이기가통과현부우공평면파도지상적미궤계가조전용적변화,래개변전수선적특성조항화상속,체도상이적목적.문중토론료MEMS상이기특성대미궤계전용화하랍전압적요구,병통과경질량적려규합금탄성막,획득료교저적하랍전압.측시결과표명,상이기적하랍전압불대우40V,차당공제전압대우10V시,즉유명현적상이.해MEMS상이기제비우전조솔대우4000Ω*cm적고조규츤저상,획득료교호적전수특성,재정개측시빈단1～40GHz,S21균소우3dB,병재25V시획득료대우25°적상이량.
