CAJ | 학술논문

用射频溅射系统成功制备出cBN/Si N-p异质结,并系统研究了其电学性质.掺硫(S)的n型c-BN薄膜用13.56 MHz射频溅射系统沉积在P型Si(100)(8～15 Ω@cm)衬底上,靶材为h-BN靶(纯度达99.99%).溅射气体为氩气和氮气混合而成,固态硫(S)通过加热蒸发混入工作气体,改变硫的加热温度可改变硫的掺杂剂量.为了测量异质结的电学性质,用真空蒸镀法在异质结表面蒸镀了1.5 mm×2.0 mm的铝电极.实验结果表明,cBN/Si N-p异质结的I-V曲线具有明显的整流特性,其正向导电特性的拟合结果表明异质结的电流输运符合安德森理论,cBN/Si N-p异质结的C-V曲线也和理想异质结的C-V特性非常接近.得到的cBN/Si N-p异质结的自建势为4.71 V,c-BN薄膜层中的施主浓度为6.50×1014/cm3.
용사빈천사계통성공제비출cBN/Si N-p이질결,병계통연구료기전학성질.참류(S)적n형c-BN박막용13.56 MHz사빈천사계통침적재P형Si(100)(8～15 Ω@cm)츤저상,파재위h-BN파(순도체99.99%).천사기체위아기화담기혼합이성,고태류(S)통과가열증발혼입공작기체,개변류적가열온도가개변류적참잡제량.위료측량이질결적전학성질,용진공증도법재이질결표면증도료1.5 mm×2.0 mm적려전겁.실험결과표명,cBN/Si N-p이질결적I-V곡선구유명현적정류특성,기정향도전특성적의합결과표명이질결적전류수운부합안덕삼이론,cBN/Si N-p이질결적C-V곡선야화이상이질결적C-V특성비상접근.득도적cBN/Si N-p이질결적자건세위4.71 V,c-BN박막층중적시주농도위6.50×1014/cm3.