电子学报
電子學報
전자학보
ACTA ELECTRONICA SINICA
2002年
2期
232-235
,共4页
张国艳%廖怀林%黄如%张兴%王阳元%Mansun CHAN
張國豔%廖懷林%黃如%張興%王暘元%Mansun CHAN
장국염%료부림%황여%장흥%왕양원%Mansun CHAN
失真分析%幂级数方法%失真模型%SOI MOSFET
失真分析%冪級數方法%失真模型%SOI MOSFET
실진분석%멱급수방법%실진모형%SOI MOSFET
本文较为详细地分析了SOI MOSFET的失真行为.利用幂级数方法对不同结构包括部分耗尽PD、全耗尽FD和体接触BC的SOI器件的谐波失真进行了对比性的实验研究.同时,在实验分析的基础上提出了描述失真行为的连续的SOI MOSFET失真模型.该模型通过引入平滑函数和主要的影响失真的物理机制,使得模拟计算结果能够与实验结果较好的吻合.本文所得到的结果可用于低失真的数模混合电路的设计,并对低失真电路的优化提供指导方向.
本文較為詳細地分析瞭SOI MOSFET的失真行為.利用冪級數方法對不同結構包括部分耗儘PD、全耗儘FD和體接觸BC的SOI器件的諧波失真進行瞭對比性的實驗研究.同時,在實驗分析的基礎上提齣瞭描述失真行為的連續的SOI MOSFET失真模型.該模型通過引入平滑函數和主要的影響失真的物理機製,使得模擬計算結果能夠與實驗結果較好的吻閤.本文所得到的結果可用于低失真的數模混閤電路的設計,併對低失真電路的優化提供指導方嚮.
본문교위상세지분석료SOI MOSFET적실진행위.이용멱급수방법대불동결구포괄부분모진PD、전모진FD화체접촉BC적SOI기건적해파실진진행료대비성적실험연구.동시,재실험분석적기출상제출료묘술실진행위적련속적SOI MOSFET실진모형.해모형통과인입평활함수화주요적영향실진적물리궤제,사득모의계산결과능구여실험결과교호적문합.본문소득도적결과가용우저실진적수모혼합전로적설계,병대저실진전로적우화제공지도방향.
