CAJ | 학술논문

万方数据

半导体光电 반도체광전
SEMICONDUCTOR OPTOELECTRONICS
2002年 1期 23-25 ,共3页

李献杰%曾庆明%徐晓春%刘伟吉%敖金平%王全树%杨树人%赵方海%柯锡明%王志功%刘式墉%梁春广

리헌걸%증경명%서효춘%류위길%오금평%왕전수%양수인%조방해%가석명%왕지공%류식용%량춘엄

光发射%光电集成电路%InP 光髮射%光電集成電路%InP
광발사%광전집성전로%InP

采用一种新的基于InP材料在[0 11]晶向化学腐蚀形成的平滑剖面的互连工艺和两次曝光光刻技术,设计并制作了带有1.55μm多量子阱激光器和InP/InGaAs 异质结双极晶体管驱动电路的光发射单片光电集成电路.在1.5Gbit/s 223-1伪随机码调制下器件有张开的眼图,光输出功率为2dBm,芯片功耗约120mW.
채용일충신적기우InP재료재[0 11]정향화학부식형성적평활부면적호련공예화량차폭광광각기술,설계병제작료대유1.55μm다양자정격광기화InP/InGaAs 이질결쌍겁정체관구동전로적광발사단편광전집성전로.재1.5Gbit/s 223-1위수궤마조제하기건유장개적안도,광수출공솔위2dBm,심편공모약120mW.