溅射法制备Insb薄膜工艺探索--In与Sb的原子比问题
천사법제비Insb박막공예탐색--In여Sb적원자비문제
The Technological Probe of InSb Film by RF Sputtering -The Problem About Atomic Ratio of In to Sb
  • 万方数据
    仪表技术与传感器 의표기술여전감기
    INSTRUMENT TECHNIQUE AND SENSOR
    2001年 7期 35-36 ,共2页

    温作晓%孙承松%魏永广%关艳霞%周立军

    온작효%손승송%위영엄%관염하%주립군

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    介绍一种基于原子比为1:1的InSb靶制备原子比为1:1的InSb薄膜的方法,实验结果表明,该方法能较好地解决类似化合物溅射制膜过程中膜成分与靶偏离问题.
    개소일충기우원자비위1:1적InSb파제비원자비위1:1적InSb박막적방법,실험결과표명,해방법능교호지해결유사화합물천사제막과정중막성분여파편리문제.
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