红外与毫米波学报
紅外與毫米波學報
홍외여호미파학보
JOURNAL OF INFRARED AND MILLIMETER WAVES
2003年
5期
349-352
,共4页
陈奶波%邱东江%吴惠桢%张寒洁%鲍世宁%何丕模
陳奶波%邱東江%吳惠楨%張寒潔%鮑世寧%何丕模
진내파%구동강%오혜정%장한길%포세저%하비모
六方ZnO晶体薄膜%立方MgZnO晶体薄膜%紫外光致荧光谱(UVPL)%X-射线光电子能谱(XPS)
六方ZnO晶體薄膜%立方MgZnO晶體薄膜%紫外光緻熒光譜(UVPL)%X-射線光電子能譜(XPS)
륙방ZnO정체박막%립방MgZnO정체박막%자외광치형광보(UVPL)%X-사선광전자능보(XPS)
用电子束蒸发反应沉积在Si(111)衬底上低温生长了立方MgZnO薄膜和高度C-轴取向的ZnO薄膜.X-射线光电子能谱(XPS)结果表明,立方MgZnO薄膜中的Mg含量比靶源中的高.紫外光致荧光谱(UVPL)测试显示,与ZnO相比MgZnO的荧光峰从393nm蓝移至373nm,这可能与MgZnO的带隙变宽有关.对ZnO薄膜的研究还发现,生长过程中充O2与否对ZnO发光特性的影响显著,不充O2时样品的紫外荧光峰较之充O2条件下制得的样品发生红移.
用電子束蒸髮反應沉積在Si(111)襯底上低溫生長瞭立方MgZnO薄膜和高度C-軸取嚮的ZnO薄膜.X-射線光電子能譜(XPS)結果錶明,立方MgZnO薄膜中的Mg含量比靶源中的高.紫外光緻熒光譜(UVPL)測試顯示,與ZnO相比MgZnO的熒光峰從393nm藍移至373nm,這可能與MgZnO的帶隙變寬有關.對ZnO薄膜的研究還髮現,生長過程中充O2與否對ZnO髮光特性的影響顯著,不充O2時樣品的紫外熒光峰較之充O2條件下製得的樣品髮生紅移.
용전자속증발반응침적재Si(111)츤저상저온생장료립방MgZnO박막화고도C-축취향적ZnO박막.X-사선광전자능보(XPS)결과표명,립방MgZnO박막중적Mg함량비파원중적고.자외광치형광보(UVPL)측시현시,여ZnO상비MgZnO적형광봉종393nm람이지373nm,저가능여MgZnO적대극변관유관.대ZnO박막적연구환발현,생장과정중충O2여부대ZnO발광특성적영향현저,불충O2시양품적자외형광봉교지충O2조건하제득적양품발생홍이.
