金属学报
金屬學報
금속학보
ACTA METALLURGICA SINICA
2003年
10期
1043-1046
,共4页
李海峰%马纪东%张辉%于广华%朱逢吾
李海峰%馬紀東%張輝%于廣華%硃逢吾
리해봉%마기동%장휘%우엄화%주봉오
Ni0.81Fe0.19薄膜,(Ni0.81Fe0.19)1-xCrx种子层,各向异性磁电阻,晶粒尺寸,111织构
Ni0.81Fe0.19薄膜,(Ni0.81Fe0.19)1-xCrx種子層,各嚮異性磁電阻,晶粒呎吋,111織構
Ni0.81Fe0.19박막,(Ni0.81Fe0.19)1-xCrx충자층,각향이성자전조,정립척촌,111직구
用直流磁控溅射方法制备了性能优良的以(Ni0.81Fe0.19)1-xCrx为种子层的Ni0.81Fe0.19薄膜,研究了种子层成分及厚度对薄膜磁性和微结构的影响,结果表明:当种子层(Ni0.81Fe0.19)0.63Cr0.37厚度为5.5 nm时,Ni0.81Fe019(20.0 nm)薄膜的各向异性磁电阻(AMR)值为(2.53±0.06)%;当Cr的含量为0.36时,Ni0 81Fe0.19(60.0 nm)薄膜的AMR值为(3.35±0.06)%.AFM及XRD研究表明:不同厚度缓冲层(厚度分别为2.8,5.5和8.3 nm)的Ni0.81Fe0.19(20.0 nm)薄膜表面平均晶粒尺寸基本都为35.2 nm,但其111织构相差很大,AMR值最大时,对应的111衍射峰最强;不同Cr含量(分别为0.28,0.36和0.41)的Ni0.81Fe0.19(60.0 nm)薄膜表面平均晶粒尺寸和111衍射峰相差都很明显,AMR值最大时,对应地薄膜表面平均晶粒尺寸最大,Ni0.81Fe0.19111衍射峰也最强.
用直流磁控濺射方法製備瞭性能優良的以(Ni0.81Fe0.19)1-xCrx為種子層的Ni0.81Fe0.19薄膜,研究瞭種子層成分及厚度對薄膜磁性和微結構的影響,結果錶明:噹種子層(Ni0.81Fe0.19)0.63Cr0.37厚度為5.5 nm時,Ni0.81Fe019(20.0 nm)薄膜的各嚮異性磁電阻(AMR)值為(2.53±0.06)%;噹Cr的含量為0.36時,Ni0 81Fe0.19(60.0 nm)薄膜的AMR值為(3.35±0.06)%.AFM及XRD研究錶明:不同厚度緩遲層(厚度分彆為2.8,5.5和8.3 nm)的Ni0.81Fe0.19(20.0 nm)薄膜錶麵平均晶粒呎吋基本都為35.2 nm,但其111織構相差很大,AMR值最大時,對應的111衍射峰最彊;不同Cr含量(分彆為0.28,0.36和0.41)的Ni0.81Fe0.19(60.0 nm)薄膜錶麵平均晶粒呎吋和111衍射峰相差都很明顯,AMR值最大時,對應地薄膜錶麵平均晶粒呎吋最大,Ni0.81Fe0.19111衍射峰也最彊.
용직류자공천사방법제비료성능우량적이(Ni0.81Fe0.19)1-xCrx위충자층적Ni0.81Fe0.19박막,연구료충자층성분급후도대박막자성화미결구적영향,결과표명:당충자층(Ni0.81Fe0.19)0.63Cr0.37후도위5.5 nm시,Ni0.81Fe019(20.0 nm)박막적각향이성자전조(AMR)치위(2.53±0.06)%;당Cr적함량위0.36시,Ni0 81Fe0.19(60.0 nm)박막적AMR치위(3.35±0.06)%.AFM급XRD연구표명:불동후도완충층(후도분별위2.8,5.5화8.3 nm)적Ni0.81Fe0.19(20.0 nm)박막표면평균정립척촌기본도위35.2 nm,단기111직구상차흔대,AMR치최대시,대응적111연사봉최강;불동Cr함량(분별위0.28,0.36화0.41)적Ni0.81Fe0.19(60.0 nm)박막표면평균정립척촌화111연사봉상차도흔명현,AMR치최대시,대응지박막표면평균정립척촌최대,Ni0.81Fe0.19111연사봉야최강.
