物理学报
物理學報
물이학보
2004年
5期
1496-1500
,共5页
叶超%宁兆元%程珊华%辛煜%许圣华
葉超%寧兆元%程珊華%辛煜%許聖華
협초%저조원%정산화%신욱%허골화
氟化非晶碳(a-C:F)薄膜%直流伏安特性%C=C双键
氟化非晶碳(a-C:F)薄膜%直流伏安特性%C=C雙鍵
불화비정탄(a-C:F)박막%직류복안특성%C=C쌍건
研究了电子回旋共振等离子体技术沉积的氟化非晶碳(a-C:F)薄膜的电学性质.发现对于不同C-Fx含量的薄膜,C=C含量的增大对薄膜的导电行为具有不同的影响.薄膜的直流I-V特性呈现I=aV+bVn规律,是低场强区的欧姆导电和高场强区的空间电荷限流(SCLC)组成的导电过程.由于非晶材料的空间电荷限流与带尾态密度的分布密切相关,而a-C:F薄膜中C=C的含量决定带尾态密度的分布,因此a-C:F薄膜在高场下的空间电荷限流是由薄膜中C=C决定的导电过程.
研究瞭電子迴鏇共振等離子體技術沉積的氟化非晶碳(a-C:F)薄膜的電學性質.髮現對于不同C-Fx含量的薄膜,C=C含量的增大對薄膜的導電行為具有不同的影響.薄膜的直流I-V特性呈現I=aV+bVn規律,是低場彊區的歐姆導電和高場彊區的空間電荷限流(SCLC)組成的導電過程.由于非晶材料的空間電荷限流與帶尾態密度的分佈密切相關,而a-C:F薄膜中C=C的含量決定帶尾態密度的分佈,因此a-C:F薄膜在高場下的空間電荷限流是由薄膜中C=C決定的導電過程.
연구료전자회선공진등리자체기술침적적불화비정탄(a-C:F)박막적전학성질.발현대우불동C-Fx함량적박막,C=C함량적증대대박막적도전행위구유불동적영향.박막적직류I-V특성정현I=aV+bVn규률,시저장강구적구모도전화고장강구적공간전하한류(SCLC)조성적도전과정.유우비정재료적공간전하한류여대미태밀도적분포밀절상관,이a-C:F박막중C=C적함량결정대미태밀도적분포,인차a-C:F박막재고장하적공간전하한류시유박막중C=C결정적도전과정.
