半导体学报
半導體學報
반도체학보
CHINESE JOURNAL OF SEMICONDUCTORS
2004年
8期
981-985
,共5页
欧阳斯可%汪涛%戴永兵%吴建生%何贤昶%沈荷生
歐暘斯可%汪濤%戴永兵%吳建生%何賢昶%瀋荷生
구양사가%왕도%대영병%오건생%하현창%침하생
金属硅化物%钴%固相反应%微波等离子体
金屬硅化物%鈷%固相反應%微波等離子體
금속규화물%고%고상반응%미파등리자체
采用微波等离子体退火方法使溅射的金属钴薄膜与(100)硅衬底发生固相反应直接生成CoSi2,证明了采用微波等离子体退火制备低阻硅化钴的可行性.通过X射线衍射图谱发现,当退火时间相同时,在610C时先形成CoSi2(111)织构,750C时(100)取向的CoSi2生长显著.此外,在微波作用下,无需先形成富Co的Co2Si和CoSi,就能直接得到稳态的CoSi2,不同于常规的热处理.分析认为这是因为微波可以促进固相反应中Co原子的扩散,有利于CoSi2形核生长.
採用微波等離子體退火方法使濺射的金屬鈷薄膜與(100)硅襯底髮生固相反應直接生成CoSi2,證明瞭採用微波等離子體退火製備低阻硅化鈷的可行性.通過X射線衍射圖譜髮現,噹退火時間相同時,在610C時先形成CoSi2(111)織構,750C時(100)取嚮的CoSi2生長顯著.此外,在微波作用下,無需先形成富Co的Co2Si和CoSi,就能直接得到穩態的CoSi2,不同于常規的熱處理.分析認為這是因為微波可以促進固相反應中Co原子的擴散,有利于CoSi2形覈生長.
채용미파등리자체퇴화방법사천사적금속고박막여(100)규츤저발생고상반응직접생성CoSi2,증명료채용미파등리자체퇴화제비저조규화고적가행성.통과X사선연사도보발현,당퇴화시간상동시,재610C시선형성CoSi2(111)직구,750C시(100)취향적CoSi2생장현저.차외,재미파작용하,무수선형성부Co적Co2Si화CoSi,취능직접득도은태적CoSi2,불동우상규적열처리.분석인위저시인위미파가이촉진고상반응중Co원자적확산,유리우CoSi2형핵생장.
