稀有金属材料与工程
稀有金屬材料與工程
희유금속재료여공정
RARE METAL MATERIALS AND ENGINEERNG
2005年
1期
166-168
,共3页
魏芹芹%薛成山%孙振翠%曹文田%庄惠照%董志华
魏芹芹%薛成山%孫振翠%曹文田%莊惠照%董誌華
위근근%설성산%손진취%조문전%장혜조%동지화
GaN薄膜%荧光光谱%带边发射%辐射复合
GaN薄膜%熒光光譜%帶邊髮射%輻射複閤
GaN박막%형광광보%대변발사%복사복합
研究了Ga2O3/Al2O3膜氨化反应自集结制备GaN薄膜的光致发光特性,讨论了发光机制以及生长条件对其光致发光特性的影响.样品的荧光光谱在347 nm有一强发光峰,在412 nm有一弱发光峰,这两个峰的强度都随着氨化温度的升高和氨化时间的增长而增强,但峰的位置保持不变.我们认为347 nm的峰是GaN的带边发光峰由于薄膜中晶粒尺寸的减小而蓝移造成的,而412 nm的发光峰则来源于导带到杂质受主能级的辐射复合.
研究瞭Ga2O3/Al2O3膜氨化反應自集結製備GaN薄膜的光緻髮光特性,討論瞭髮光機製以及生長條件對其光緻髮光特性的影響.樣品的熒光光譜在347 nm有一彊髮光峰,在412 nm有一弱髮光峰,這兩箇峰的彊度都隨著氨化溫度的升高和氨化時間的增長而增彊,但峰的位置保持不變.我們認為347 nm的峰是GaN的帶邊髮光峰由于薄膜中晶粒呎吋的減小而藍移造成的,而412 nm的髮光峰則來源于導帶到雜質受主能級的輻射複閤.
연구료Ga2O3/Al2O3막안화반응자집결제비GaN박막적광치발광특성,토론료발광궤제이급생장조건대기광치발광특성적영향.양품적형광광보재347 nm유일강발광봉,재412 nm유일약발광봉,저량개봉적강도도수착안화온도적승고화안화시간적증장이증강,단봉적위치보지불변.아문인위347 nm적봉시GaN적대변발광봉유우박막중정립척촌적감소이람이조성적,이412 nm적발광봉칙래원우도대도잡질수주능급적복사복합.
