光电工程
光電工程
광전공정
OPTO-ELECTRONIC ENGINEERING
2005年
12期
21-24,62
,共5页
干涉光刻%无掩模%双光束双曝光%四光束单曝光
榦涉光刻%無掩模%雙光束雙曝光%四光束單曝光
간섭광각%무엄모%쌍광속쌍폭광%사광속단폭광
双光束双曝光和四光束单曝光是无掩模激光干涉光刻的两种典型方法,都容易利用现有光刻工艺,在不需掩模和高精度光刻物镜的情况下,用简单廉价光学系统在大视场和深曝光场内形成孔阵、点阵或锥阵等周期性图形.双光束双曝光法得到的阵列图形周期极限为λ/2;四光束单曝光的周期略大,为前者的√2倍.模拟和实验结果表明,通过控制曝光和显影工艺,双光束双曝光较四光束单曝光能更灵活地得到孔阵或点阵,而四光束单曝光得到的图形孔与孔之间没有鞍点,较双光束双曝光形成的孔侧壁更陡.这两种方法在需要在大面积范围内形成孔或点这类周期阵列图形的微电子和光电子器件的制造领域有很好的应用前景.
雙光束雙曝光和四光束單曝光是無掩模激光榦涉光刻的兩種典型方法,都容易利用現有光刻工藝,在不需掩模和高精度光刻物鏡的情況下,用簡單廉價光學繫統在大視場和深曝光場內形成孔陣、點陣或錐陣等週期性圖形.雙光束雙曝光法得到的陣列圖形週期極限為λ/2;四光束單曝光的週期略大,為前者的√2倍.模擬和實驗結果錶明,通過控製曝光和顯影工藝,雙光束雙曝光較四光束單曝光能更靈活地得到孔陣或點陣,而四光束單曝光得到的圖形孔與孔之間沒有鞍點,較雙光束雙曝光形成的孔側壁更陡.這兩種方法在需要在大麵積範圍內形成孔或點這類週期陣列圖形的微電子和光電子器件的製造領域有很好的應用前景.
쌍광속쌍폭광화사광속단폭광시무엄모격광간섭광각적량충전형방법,도용역이용현유광각공예,재불수엄모화고정도광각물경적정황하,용간단렴개광학계통재대시장화심폭광장내형성공진、점진혹추진등주기성도형.쌍광속쌍폭광법득도적진렬도형주기겁한위λ/2;사광속단폭광적주기략대,위전자적√2배.모의화실험결과표명,통과공제폭광화현영공예,쌍광속쌍폭광교사광속단폭광능경령활지득도공진혹점진,이사광속단폭광득도적도형공여공지간몰유안점,교쌍광속쌍폭광형성적공측벽경두.저량충방법재수요재대면적범위내형성공혹점저류주기진렬도형적미전자화광전자기건적제조영역유흔호적응용전경.
