氨化Si基Ga2O3/Ti制备GaN纳米线
안화Si기Ga2O3/Ti제비GaN납미선
Synthesis of GaN nanowires by ammoniating sputtered Ga2O3/Ti films on Si substrates
  • 万方数据
    功能材料 공능재료
    JOURNAL OF FUNCTIONAL MATERIALS
    2007年 2期 259-260,264 ,共3页

    孙莉莉%薛成山%艾玉杰%孙传伟%庄惠照%张晓凯%王福学%陈金华%李红

    손리리%설성산%애옥걸%손전위%장혜조%장효개%왕복학%진금화%리홍

    磁控溅射%氨化%GaN薄膜%Ti 磁控濺射%氨化%GaN薄膜%Ti
    자공천사%안화%GaN박막%Ti
    采用磁控溅射技术先在硅衬底上制备Ga2O3/Ti薄膜,然后在950℃时于流动的氨气中进行氨化反应制备GaN薄膜.X射线衍射(XRD)、傅立叶红外吸收光谱(FTIR)、选区电子衍射(SAED)和高分辨透射电子显微镜(HRTEM)的结果表明采用此方法得到了六方纤锌矿结构的GaN单晶纳米线.通过扫描电镜(SEM)观察发现纳米线的形貌,纳米棒的尺寸在50～150nm之间.
    채용자공천사기술선재규츤저상제비Ga2O3/Ti박막,연후재950℃시우류동적안기중진행안화반응제비GaN박막.X사선연사(XRD)、부립협홍외흡수광보(FTIR)、선구전자연사(SAED)화고분변투사전자현미경(HRTEM)적결과표명채용차방법득도료륙방섬자광결구적GaN단정납미선.통과소묘전경(SEM)관찰발현납미선적형모,납미봉적척촌재50～150nm지간.
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