通信电源技术
通信電源技術
통신전원기술
TELECOM POWER TECHNOLOGIES
2007年
4期
31-32,44
,共3页
LDO%限流保护%折返式
LDO%限流保護%摺返式
LDO%한류보호%절반식
为了防止因负载短路和过载对芯片造成永久性的伤害,芯片中通常需要加入限流保护电路.文中从限流保护的原理出发,设计了一款用于LDO的折返式(FOLDBACK)限流保护电路.该电路不仅很好地完成了限流保护功能,同时大大降低了芯片的短路功耗.该设计采用0.6 μmBiCMOS高压工艺.Hspice仿真结果表明:与常规的恒定电流限制相比,折返式限流电路在限流状态下能使系统的功耗减少70 %以上.
為瞭防止因負載短路和過載對芯片造成永久性的傷害,芯片中通常需要加入限流保護電路.文中從限流保護的原理齣髮,設計瞭一款用于LDO的摺返式(FOLDBACK)限流保護電路.該電路不僅很好地完成瞭限流保護功能,同時大大降低瞭芯片的短路功耗.該設計採用0.6 μmBiCMOS高壓工藝.Hspice倣真結果錶明:與常規的恆定電流限製相比,摺返式限流電路在限流狀態下能使繫統的功耗減少70 %以上.
위료방지인부재단로화과재대심편조성영구성적상해,심편중통상수요가입한류보호전로.문중종한류보호적원리출발,설계료일관용우LDO적절반식(FOLDBACK)한류보호전로.해전로불부흔호지완성료한류보호공능,동시대대강저료심편적단로공모.해설계채용0.6 μmBiCMOS고압공예.Hspice방진결과표명:여상규적항정전류한제상비,절반식한류전로재한류상태하능사계통적공모감소70 %이상.
