微纳电子技术
微納電子技術
미납전자기술
MICRONANOELECTRONIC TECHNOLOGY
2008年
3期
140-144
,共5页
吴胜龙%刘岩%赵守磊%李惠军%于英霞%张宪敏
吳勝龍%劉巖%趙守磊%李惠軍%于英霞%張憲敏
오성룡%류암%조수뢰%리혜군%우영하%장헌민
纳米层次%可制造性设计%虚拟工厂%工艺优化%集成电路
納米層次%可製造性設計%虛擬工廠%工藝優化%集成電路
납미층차%가제조성설계%허의공엄%공예우화%집성전로
介绍了Synopsys Inc.推出的新一代(第五代)nm级TCAD仿真平台--Sentaurus Work-bench(SWB)的系统结构、基本功能及其优化功能,重点介绍了SWB的DOE及RSM优化机制.基于SWB环境实现了nm级NMOS集成化管芯的可制造性设计及优化.在对NMOS集成化管芯的设计过程中,围绕Vt进行了可制造性设计,利用DOE试验方法和RSM对Vt进行了优化,得到了阈值电压(Vt)和调阈值注入剂量(Vt_Dose)、能量(Vt_Energy)及抑制穿通注入剂量(PNCH_Dose)、能量(PNCH_Energy)之间的RSM响应表面关系.在此基础上,分析了Vt各影响因素与Vt之间的关系,从而指导了在Vt的设计过程中各个主要影响参数的选取.
介紹瞭Synopsys Inc.推齣的新一代(第五代)nm級TCAD倣真平檯--Sentaurus Work-bench(SWB)的繫統結構、基本功能及其優化功能,重點介紹瞭SWB的DOE及RSM優化機製.基于SWB環境實現瞭nm級NMOS集成化管芯的可製造性設計及優化.在對NMOS集成化管芯的設計過程中,圍繞Vt進行瞭可製造性設計,利用DOE試驗方法和RSM對Vt進行瞭優化,得到瞭閾值電壓(Vt)和調閾值註入劑量(Vt_Dose)、能量(Vt_Energy)及抑製穿通註入劑量(PNCH_Dose)、能量(PNCH_Energy)之間的RSM響應錶麵關繫.在此基礎上,分析瞭Vt各影響因素與Vt之間的關繫,從而指導瞭在Vt的設計過程中各箇主要影響參數的選取.
개소료Synopsys Inc.추출적신일대(제오대)nm급TCAD방진평태--Sentaurus Work-bench(SWB)적계통결구、기본공능급기우화공능,중점개소료SWB적DOE급RSM우화궤제.기우SWB배경실현료nm급NMOS집성화관심적가제조성설계급우화.재대NMOS집성화관심적설계과정중,위요Vt진행료가제조성설계,이용DOE시험방법화RSM대Vt진행료우화,득도료역치전압(Vt)화조역치주입제량(Vt_Dose)、능량(Vt_Energy)급억제천통주입제량(PNCH_Dose)、능량(PNCH_Energy)지간적RSM향응표면관계.재차기출상,분석료Vt각영향인소여Vt지간적관계,종이지도료재Vt적설계과정중각개주요영향삼수적선취.
