材料导报
材料導報
재료도보
MATERIALS REVIEW
2011年
8期
71-73
,共3页
赵君芙%赵丹%梁建%马淑芳%许并社
趙君芙%趙丹%樑建%馬淑芳%許併社
조군부%조단%량건%마숙방%허병사
半导体%GaN多晶薄膜%Al缓冲层%CVD法
半導體%GaN多晶薄膜%Al緩遲層%CVD法
반도체%GaN다정박막%Al완충층%CVD법
采用CVD法以金属镓(Ga)和氨气(NH3)为原料,在镀有Al膜的蓝宝石衬底上成功地制备了GaN多晶薄膜.采用高分辨X射线衍射仪(HRXRD)、场发射电子扫描电镜(FESEM)、原子力显微镜(AFM)和光致发光能谱(PL)对样品进行了成分、形貌、表面粗糙度和发光性能分析.结果表明,制备的GaN薄膜为结晶性较好的六方纤锌矿GaN多晶薄膜,用266nm的激光作为激发光源时,光致发光谱中除出现354nm的近带边发射峰外,同时还观察到中心波长位于530nm附近的黄光发光峰及中心波长位于约637nm的红光发光峰.
採用CVD法以金屬鎵(Ga)和氨氣(NH3)為原料,在鍍有Al膜的藍寶石襯底上成功地製備瞭GaN多晶薄膜.採用高分辨X射線衍射儀(HRXRD)、場髮射電子掃描電鏡(FESEM)、原子力顯微鏡(AFM)和光緻髮光能譜(PL)對樣品進行瞭成分、形貌、錶麵粗糙度和髮光性能分析.結果錶明,製備的GaN薄膜為結晶性較好的六方纖鋅礦GaN多晶薄膜,用266nm的激光作為激髮光源時,光緻髮光譜中除齣現354nm的近帶邊髮射峰外,同時還觀察到中心波長位于530nm附近的黃光髮光峰及中心波長位于約637nm的紅光髮光峰.
채용CVD법이금속가(Ga)화안기(NH3)위원료,재도유Al막적람보석츤저상성공지제비료GaN다정박막.채용고분변X사선연사의(HRXRD)、장발사전자소묘전경(FESEM)、원자력현미경(AFM)화광치발광능보(PL)대양품진행료성분、형모、표면조조도화발광성능분석.결과표명,제비적GaN박막위결정성교호적륙방섬자광GaN다정박막,용266nm적격광작위격발광원시,광치발광보중제출현354nm적근대변발사봉외,동시환관찰도중심파장위우530nm부근적황광발광봉급중심파장위우약637nm적홍광발광봉.
