电子器件
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전자기건
JOURNAL OF ELECTRON DEVICES
2008年
4期
1150-1154
,共5页
沈怿皓%张润曦%张炜杰%陈亦灏%李勇%景一欧%赖宗声
瀋懌皓%張潤晞%張煒傑%陳亦灝%李勇%景一歐%賴宗聲
침역호%장윤희%장위걸%진역호%리용%경일구%뢰종성
CMOS射频集成电路%双曲正切法则%线性度%混频器
CMOS射頻集成電路%雙麯正切法則%線性度%混頻器
CMOS사빈집성전로%쌍곡정절법칙%선성도%혼빈기
研究了CMOS电路中多双曲正切法则的应用对线性度产生的影响.分析并推导了两种非平衡差分对结构的差分输出电流和等效跨导的公式.给出了电路线性度最优时,多补偿偏置结构的补偿偏置电压VK的表达式.基于理论分析结果,设计了一个应用多双曲正切法则的CMOS吉尔伯特混频器电路.流片采用UMC 0.18 μm RF-CMOS工艺,经过测量,所得到的参数与理论分析及仿真值吻合,证明了理论分析的可行性.
研究瞭CMOS電路中多雙麯正切法則的應用對線性度產生的影響.分析併推導瞭兩種非平衡差分對結構的差分輸齣電流和等效跨導的公式.給齣瞭電路線性度最優時,多補償偏置結構的補償偏置電壓VK的錶達式.基于理論分析結果,設計瞭一箇應用多雙麯正切法則的CMOS吉爾伯特混頻器電路.流片採用UMC 0.18 μm RF-CMOS工藝,經過測量,所得到的參數與理論分析及倣真值吻閤,證明瞭理論分析的可行性.
연구료CMOS전로중다쌍곡정절법칙적응용대선성도산생적영향.분석병추도료량충비평형차분대결구적차분수출전류화등효과도적공식.급출료전로선성도최우시,다보상편치결구적보상편치전압VK적표체식.기우이론분석결과,설계료일개응용다쌍곡정절법칙적CMOS길이백특혼빈기전로.류편채용UMC 0.18 μm RF-CMOS공예,경과측량,소득도적삼수여이론분석급방진치문합,증명료이론분석적가행성.
