电子元件与材料
電子元件與材料
전자원건여재료
ELECTRONIC COMPONENTS & MATERIALS
2010年
5期
11-13
,共3页
何春中%张树人%唐斌%周晓华
何春中%張樹人%唐斌%週曉華
하춘중%장수인%당빈%주효화
微波介质陶瓷%低温烧结%BaO-3TiO2%BaB2O4
微波介質陶瓷%低溫燒結%BaO-3TiO2%BaB2O4
미파개질도자%저온소결%BaO-3TiO2%BaB2O4
为实现低温烧结,采用固相反应法制备了H3BO3掺杂改性的BaO-3TiO2微波介质陶瓷,研究了H3BO3掺杂量对其烧结温度和介电性能的影响,并与H3BO3掺杂改性的BaTi4O9陶瓷进行了对比研究.结果表明,H3BO3掺杂能使BaO-3TiO2陶瓷的烧结温度降低到950 ℃,原因是烧结过程中形成了熔点约为899 ℃的液相BaB2O4.当掺杂质量分数为3%的H3BO3时,制备的BaO-3TiO2微波介质陶瓷具有良好的介电性能:εr = 34.1,Q·f = 9 000 GHz (4.0 GHz),略优于H3BO3掺杂改性的BaTi4O9陶瓷.
為實現低溫燒結,採用固相反應法製備瞭H3BO3摻雜改性的BaO-3TiO2微波介質陶瓷,研究瞭H3BO3摻雜量對其燒結溫度和介電性能的影響,併與H3BO3摻雜改性的BaTi4O9陶瓷進行瞭對比研究.結果錶明,H3BO3摻雜能使BaO-3TiO2陶瓷的燒結溫度降低到950 ℃,原因是燒結過程中形成瞭鎔點約為899 ℃的液相BaB2O4.噹摻雜質量分數為3%的H3BO3時,製備的BaO-3TiO2微波介質陶瓷具有良好的介電性能:εr = 34.1,Q·f = 9 000 GHz (4.0 GHz),略優于H3BO3摻雜改性的BaTi4O9陶瓷.
위실현저온소결,채용고상반응법제비료H3BO3참잡개성적BaO-3TiO2미파개질도자,연구료H3BO3참잡량대기소결온도화개전성능적영향,병여H3BO3참잡개성적BaTi4O9도자진행료대비연구.결과표명,H3BO3참잡능사BaO-3TiO2도자적소결온도강저도950 ℃,원인시소결과정중형성료용점약위899 ℃적액상BaB2O4.당참잡질량분수위3%적H3BO3시,제비적BaO-3TiO2미파개질도자구유량호적개전성능:εr = 34.1,Q·f = 9 000 GHz (4.0 GHz),략우우H3BO3참잡개성적BaTi4O9도자.
