应用光学
應用光學
응용광학
JOURNAL OF APPLIED OPTICS
2010年
5期
855-859
,共5页
朱昌%米高园%达斯坦科%格拉索夫%扎瓦斯基
硃昌%米高園%達斯坦科%格拉索伕%扎瓦斯基
주창%미고완%체사탄과%격랍색부%찰와사기
磁控反应溅射%离子束反应溅射%折射率%消光系数
磁控反應濺射%離子束反應濺射%摺射率%消光繫數
자공반응천사%리자속반응천사%절사솔%소광계수
比较了磁控反应溅射(RMS)法与离子束反应溅射(RIBS)法沉积得到的氧化硅薄膜的光学特性,并确定了其对折射率n、消光系数k、沉积速率和混合工作气体Ar/O2中氧含量的依赖性关系.工作气体中O2含量大于15%时通过RMS法沉积的氧化硅薄膜在0.63 μm波长折射率约为1.52～1.55,消光系数低于10-5.当O2含量在80%以上时RIBS方法沉积氧化硅薄膜的折射率n=1.52～1.6,消光系数低于10-5.用RMS沉积SiO2薄膜,当氧气量超过15%时发生反应模式,此时沉积速率下降近5倍.而用RIBS时,沉积速率并不依赖氧气在混合工作气体中的含量.
比較瞭磁控反應濺射(RMS)法與離子束反應濺射(RIBS)法沉積得到的氧化硅薄膜的光學特性,併確定瞭其對摺射率n、消光繫數k、沉積速率和混閤工作氣體Ar/O2中氧含量的依賴性關繫.工作氣體中O2含量大于15%時通過RMS法沉積的氧化硅薄膜在0.63 μm波長摺射率約為1.52～1.55,消光繫數低于10-5.噹O2含量在80%以上時RIBS方法沉積氧化硅薄膜的摺射率n=1.52～1.6,消光繫數低于10-5.用RMS沉積SiO2薄膜,噹氧氣量超過15%時髮生反應模式,此時沉積速率下降近5倍.而用RIBS時,沉積速率併不依賴氧氣在混閤工作氣體中的含量.
비교료자공반응천사(RMS)법여리자속반응천사(RIBS)법침적득도적양화규박막적광학특성,병학정료기대절사솔n、소광계수k、침적속솔화혼합공작기체Ar/O2중양함량적의뢰성관계.공작기체중O2함량대우15%시통과RMS법침적적양화규박막재0.63 μm파장절사솔약위1.52～1.55,소광계수저우10-5.당O2함량재80%이상시RIBS방법침적양화규박막적절사솔n=1.52～1.6,소광계수저우10-5.용RMS침적SiO2박막,당양기량초과15%시발생반응모식,차시침적속솔하강근5배.이용RIBS시,침적속솔병불의뢰양기재혼합공작기체중적함량.
