中国有色金属学报
中國有色金屬學報
중국유색금속학보
THE CHINESE JOURNAL OF NONFERROUS METALS
2011年
2期
418-424
,共7页
李军%谭周建%张翔%廖寄乔
李軍%譚週建%張翔%廖寄喬
리군%담주건%장상%료기교
碳/碳复合材料%CNT-SiC/SiC复合涂层%碳纳米管%化学气相沉积%氧化
碳/碳複閤材料%CNT-SiC/SiC複閤塗層%碳納米管%化學氣相沉積%氧化
탄/탄복합재료%CNT-SiC/SiC복합도층%탄납미관%화학기상침적%양화
以碳/碳复合材料为基体,MTS为先驱体原料,采用化学气相沉积法在复合材料表面制备CNT-SiC/SiC复合涂层;研究原位生长的碳纳米管(CNTs)对SiC沉积速度和微观形貌的影响.结果表明:CNTs加快SiC的沉积,涂层的平均质量增加速率提高5%,提高沉积的均匀性,且晶粒更细小;经1 100℃恒温氧化10 h后,单一SiC涂层、CNT-SiC/SiC涂层的质量损失率分别为41.11%和34.32%;经(1 100℃,3 min)(→)(室温,3 min)热循环15次后,单一SiC涂层和CNT-SiC/SiC涂层的质量损失率分别为33.17%和30.25%,部分区域涂层脱落及涂层表面形成的气孔是涂层试样质量损失的主要原因.
以碳/碳複閤材料為基體,MTS為先驅體原料,採用化學氣相沉積法在複閤材料錶麵製備CNT-SiC/SiC複閤塗層;研究原位生長的碳納米管(CNTs)對SiC沉積速度和微觀形貌的影響.結果錶明:CNTs加快SiC的沉積,塗層的平均質量增加速率提高5%,提高沉積的均勻性,且晶粒更細小;經1 100℃恆溫氧化10 h後,單一SiC塗層、CNT-SiC/SiC塗層的質量損失率分彆為41.11%和34.32%;經(1 100℃,3 min)(→)(室溫,3 min)熱循環15次後,單一SiC塗層和CNT-SiC/SiC塗層的質量損失率分彆為33.17%和30.25%,部分區域塗層脫落及塗層錶麵形成的氣孔是塗層試樣質量損失的主要原因.
이탄/탄복합재료위기체,MTS위선구체원료,채용화학기상침적법재복합재료표면제비CNT-SiC/SiC복합도층;연구원위생장적탄납미관(CNTs)대SiC침적속도화미관형모적영향.결과표명:CNTs가쾌SiC적침적,도층적평균질량증가속솔제고5%,제고침적적균균성,차정립경세소;경1 100℃항온양화10 h후,단일SiC도층、CNT-SiC/SiC도층적질량손실솔분별위41.11%화34.32%;경(1 100℃,3 min)(→)(실온,3 min)열순배15차후,단일SiC도층화CNT-SiC/SiC도층적질량손실솔분별위33.17%화30.25%,부분구역도층탈락급도층표면형성적기공시도층시양질량손실적주요원인.
