半导体技术
半導體技術
반도체기술
SEMICONDUCTOR TECHNOLOGY
2012年
4期
299-304
,共6页
DE类功率放大器%高频率%高效率%并联电容%MOSFET寄生电容
DE類功率放大器%高頻率%高效率%併聯電容%MOSFET寄生電容
DE류공솔방대기%고빈솔%고효솔%병련전용%MOSFET기생전용
DE类功率放大器既综合了D类和E类功率放大器的优点,继承了开关型功率放大器高效率的特征,又同时避免了D类和E类功率放大器的缺陷,使其成为了人们关注和研究的热点.随着工作频率的升高,MOSFET寄生电容在DE类功率放大器并联电容的计算中无法忽略.经过理论分析得到了MOSFET寄生电容的等效电容表达式,通过使用等效电容表达式,可以获得包含MOSFET寄生电容影响的并联电容的取值,提高了DE类功率放大器设计精度,保证了DE类功率放大器在高频时的高效率.通过SPICE模型仿真和电路实验验证了分析的有效性.
DE類功率放大器既綜閤瞭D類和E類功率放大器的優點,繼承瞭開關型功率放大器高效率的特徵,又同時避免瞭D類和E類功率放大器的缺陷,使其成為瞭人們關註和研究的熱點.隨著工作頻率的升高,MOSFET寄生電容在DE類功率放大器併聯電容的計算中無法忽略.經過理論分析得到瞭MOSFET寄生電容的等效電容錶達式,通過使用等效電容錶達式,可以穫得包含MOSFET寄生電容影響的併聯電容的取值,提高瞭DE類功率放大器設計精度,保證瞭DE類功率放大器在高頻時的高效率.通過SPICE模型倣真和電路實驗驗證瞭分析的有效性.
DE류공솔방대기기종합료D류화E류공솔방대기적우점,계승료개관형공솔방대기고효솔적특정,우동시피면료D류화E류공솔방대기적결함,사기성위료인문관주화연구적열점.수착공작빈솔적승고,MOSFET기생전용재DE류공솔방대기병련전용적계산중무법홀략.경과이론분석득도료MOSFET기생전용적등효전용표체식,통과사용등효전용표체식,가이획득포함MOSFET기생전용영향적병련전용적취치,제고료DE류공솔방대기설계정도,보증료DE류공솔방대기재고빈시적고효솔.통과SPICE모형방진화전로실험험증료분석적유효성.
