西安工业大学学报
西安工業大學學報
서안공업대학학보
JOURNAL OF XI'AN TECHNOLOGICAL UNIVERSITY
2007年
1期
1-5
,共5页
徐均琪%上坂裕之%梅原德次
徐均琪%上坂裕之%梅原德次
서균기%상판유지%매원덕차
表面波%无氢碳膜%工艺参数%等离子体密度%正交实验
錶麵波%無氫碳膜%工藝參數%等離子體密度%正交實驗
표면파%무경탄막%공예삼수%등리자체밀도%정교실험
表面波等离子体(surface-wave-sustained plasma,SWP)是近年发展起来的一种新型低压,高密度等离子体.应用这种技术,采用物理气相沉积(PVD)方法,很容易实现镀膜过程中的离子束辅助沉积(IBAD),从而制备出性能优异的无氢碳膜.采用一种新型的SWP源沉积出无氢碳膜,用郎缪尔探针测试了不同工艺条件下的等离子体密度分布.采用正交实验设计方法,研究了沉积薄膜的膜厚分布特性,分析了膜厚分布与等离子体密度分布的关系,并对制备的工艺参数进行了优化.结果表明,这种新型的SWP源,能够产生高达1011～1014 cm-3的等离子体密度.薄膜在整个圆周方向都具有良好的均匀性,沿轴向约为75 mm(膜厚差值±5%).研究中同时获得了影响表面波等离子体膜厚均匀性的显著因素和制备薄膜均匀性最好的工艺条件.
錶麵波等離子體(surface-wave-sustained plasma,SWP)是近年髮展起來的一種新型低壓,高密度等離子體.應用這種技術,採用物理氣相沉積(PVD)方法,很容易實現鍍膜過程中的離子束輔助沉積(IBAD),從而製備齣性能優異的無氫碳膜.採用一種新型的SWP源沉積齣無氫碳膜,用郎繆爾探針測試瞭不同工藝條件下的等離子體密度分佈.採用正交實驗設計方法,研究瞭沉積薄膜的膜厚分佈特性,分析瞭膜厚分佈與等離子體密度分佈的關繫,併對製備的工藝參數進行瞭優化.結果錶明,這種新型的SWP源,能夠產生高達1011～1014 cm-3的等離子體密度.薄膜在整箇圓週方嚮都具有良好的均勻性,沿軸嚮約為75 mm(膜厚差值±5%).研究中同時穫得瞭影響錶麵波等離子體膜厚均勻性的顯著因素和製備薄膜均勻性最好的工藝條件.
표면파등리자체(surface-wave-sustained plasma,SWP)시근년발전기래적일충신형저압,고밀도등리자체.응용저충기술,채용물리기상침적(PVD)방법,흔용역실현도막과정중적리자속보조침적(IBAD),종이제비출성능우이적무경탄막.채용일충신형적SWP원침적출무경탄막,용랑무이탐침측시료불동공예조건하적등리자체밀도분포.채용정교실험설계방법,연구료침적박막적막후분포특성,분석료막후분포여등리자체밀도분포적관계,병대제비적공예삼수진행료우화.결과표명,저충신형적SWP원,능구산생고체1011～1014 cm-3적등리자체밀도.박막재정개원주방향도구유량호적균균성,연축향약위75 mm(막후차치±5%).연구중동시획득료영향표면파등리자체막후균균성적현저인소화제비박막균균성최호적공예조건.
