电子元件与材料
電子元件與材料
전자원건여재료
ELECTRONIC COMPONENTS & MATERIALS
2007年
6期
40-41,44
,共3页
刘财坤%邓宏%李金丽%陈金菊%韦敏
劉財坤%鄧宏%李金麗%陳金菊%韋敏
류재곤%산굉%리금려%진금국%위민
电子技术%sol-gel法%ZnO薄膜压敏电阻%掺杂%压敏性能
電子技術%sol-gel法%ZnO薄膜壓敏電阻%摻雜%壓敏性能
전자기술%sol-gel법%ZnO박막압민전조%참잡%압민성능
利用sol-gel法在镀有Au底电极的单晶硅片上,制备掺有Bi2O3、Co2O3、Cr2O3和MnO2的ZnO薄膜压敏电阻.薄膜由旋涂法制备,并在300 ℃下预处理、600 ℃退火.制得的ZnO薄膜结晶良好.膜厚约为1 μm,ZnO薄膜压敏电阻的非线性系数为15.1,压敏电压为3.037 V,漏电流为43.25 μA.
利用sol-gel法在鍍有Au底電極的單晶硅片上,製備摻有Bi2O3、Co2O3、Cr2O3和MnO2的ZnO薄膜壓敏電阻.薄膜由鏇塗法製備,併在300 ℃下預處理、600 ℃退火.製得的ZnO薄膜結晶良好.膜厚約為1 μm,ZnO薄膜壓敏電阻的非線性繫數為15.1,壓敏電壓為3.037 V,漏電流為43.25 μA.
이용sol-gel법재도유Au저전겁적단정규편상,제비참유Bi2O3、Co2O3、Cr2O3화MnO2적ZnO박막압민전조.박막유선도법제비,병재300 ℃하예처리、600 ℃퇴화.제득적ZnO박막결정량호.막후약위1 μm,ZnO박막압민전조적비선성계수위15.1,압민전압위3.037 V,루전류위43.25 μA.
