半导体学报
半導體學報
반도체학보
CHINESE JOURNAL OF SEMICONDUCTORS
2008年
8期
1585-1588
,共4页
光离化截面%深能级中心%PID
光離化截麵%深能級中心%PID
광리화절면%심능급중심%PID
在分析GaN中深能级中心与入射光子问相互作用的基础上,提出了一种基于PID(prortional-integral-deriva-tive)技术的深能级中心光离化截面的测试方法.在针对分子束外延生长GaN材料的光离化截面测试中,使用该方法得到的测试结果同Klein等人报道的HEMTs器件中光离化谱吻合较好,表明基于PID技术的深能级中心光离化截面测试方法能够精确地测试GaN材料中深能级光离化截面.与现有技术相比,该方法的优点是操作方便、测试相对准确,可作为一种缺陷"指纹"鉴定的新方法应用于GaN材料的深能级研究中.
在分析GaN中深能級中心與入射光子問相互作用的基礎上,提齣瞭一種基于PID(prortional-integral-deriva-tive)技術的深能級中心光離化截麵的測試方法.在針對分子束外延生長GaN材料的光離化截麵測試中,使用該方法得到的測試結果同Klein等人報道的HEMTs器件中光離化譜吻閤較好,錶明基于PID技術的深能級中心光離化截麵測試方法能夠精確地測試GaN材料中深能級光離化截麵.與現有技術相比,該方法的優點是操作方便、測試相對準確,可作為一種缺陷"指紋"鑒定的新方法應用于GaN材料的深能級研究中.
재분석GaN중심능급중심여입사광자문상호작용적기출상,제출료일충기우PID(prortional-integral-deriva-tive)기술적심능급중심광리화절면적측시방법.재침대분자속외연생장GaN재료적광리화절면측시중,사용해방법득도적측시결과동Klein등인보도적HEMTs기건중광리화보문합교호,표명기우PID기술적심능급중심광리화절면측시방법능구정학지측시GaN재료중심능급광리화절면.여현유기술상비,해방법적우점시조작방편、측시상대준학,가작위일충결함"지문"감정적신방법응용우GaN재료적심능급연구중.
