半导体技术
半導體技術
반도체기술
SEMICONDUCTOR TECHNOLOGY
2009年
2期
158-160
,共3页
张乾%高杨%张建新%阎殿然%安雪川%张志彬%王师
張乾%高楊%張建新%閻殿然%安雪川%張誌彬%王師
장건%고양%장건신%염전연%안설천%장지빈%왕사
等离子体增强化学气相沉积%硅薄膜%喇曼光谱%玻璃封底%硅烷
等離子體增彊化學氣相沉積%硅薄膜%喇曼光譜%玻璃封底%硅烷
등리자체증강화학기상침적%규박막%나만광보%파리봉저%규완
采用等离子体增强化学气相沉积(PECVD)技术,在一定射频功率、衬底温度和气压下,在普通玻璃衬底上制备了不同硅烷体积分数的Si薄膜材料.使用喇曼光谱对薄膜材料的结构进行了研究.结果表明,随着硅烷体积分数的降低,Si薄膜沉积速率将会逐渐降低.当硅烷体积分数降到2%时,喇曼光谱检测到出现对应的晶体Si的吸收峰,而最初的非晶吸收峰位逐渐减弱.Si薄膜的结构实现了由非晶向微晶转变.随着硅烷体积分数进一步降低,结晶率不断提高,微晶比例进一步扩大.
採用等離子體增彊化學氣相沉積(PECVD)技術,在一定射頻功率、襯底溫度和氣壓下,在普通玻璃襯底上製備瞭不同硅烷體積分數的Si薄膜材料.使用喇曼光譜對薄膜材料的結構進行瞭研究.結果錶明,隨著硅烷體積分數的降低,Si薄膜沉積速率將會逐漸降低.噹硅烷體積分數降到2%時,喇曼光譜檢測到齣現對應的晶體Si的吸收峰,而最初的非晶吸收峰位逐漸減弱.Si薄膜的結構實現瞭由非晶嚮微晶轉變.隨著硅烷體積分數進一步降低,結晶率不斷提高,微晶比例進一步擴大.
채용등리자체증강화학기상침적(PECVD)기술,재일정사빈공솔、츤저온도화기압하,재보통파리츤저상제비료불동규완체적분수적Si박막재료.사용나만광보대박막재료적결구진행료연구.결과표명,수착규완체적분수적강저,Si박막침적속솔장회축점강저.당규완체적분수강도2%시,나만광보검측도출현대응적정체Si적흡수봉,이최초적비정흡수봉위축점감약.Si박막적결구실현료유비정향미정전변.수착규완체적분수진일보강저,결정솔불단제고,미정비례진일보확대.
