CAJ | 학술논문

万方数据

半导体技术 반도체기술
SEMICONDUCTOR TECHNOLOGY
2009年 5期 418-422 ,共5页

宋江婷%郭亨群%王加贤%吴志军%王国立%沈海波%徐骏%陈坤基%王启明

송강정%곽형군%왕가현%오지군%왕국립%침해파%서준%진곤기%왕계명

纳米硅镶嵌氮化硅薄膜%射频磁控反应溅射%光学非线性%量子限域效应%Z扫描納米硅鑲嵌氮化硅薄膜%射頻磁控反應濺射%光學非線性%量子限域效應%Z掃描
납미규양감담화규박막%사빈자공반응천사%광학비선성%양자한역효응%Z소묘

采用射频磁控反应溅射法结合热退火处理技术制备纳米硅镶嵌氮化硅(ncSi-SiNx)复合薄膜.通过X射线能谱(EDS)、X射线衍射仪(XRD)的测定,对薄膜进行了结构及所包含硅晶粒大小的表征.采用皮秒激光器运用单光束Z扫描技术开展了对该复合薄膜的非线性光学性质的研究,测得其三阶非线性折射率系数和非线性光吸收系数分别为10-8 esu和1018m/W量级,并将薄膜这种三阶光学非线性的增强归因于量子限域效应.
채용사빈자공반응천사법결합열퇴화처리기술제비납미규양감담화규(ncSi-SiNx)복합박막.통과X사선능보(EDS)、X사선연사의(XRD)적측정,대박막진행료결구급소포함규정립대소적표정.채용피초격광기운용단광속Z소묘기술개전료대해복합박막적비선성광학성질적연구,측득기삼계비선성절사솔계수화비선성광흡수계수분별위10-8 esu화1018m/W량급,병장박막저충삼계광학비선성적증강귀인우양자한역효응.