兵器材料科学与工程
兵器材料科學與工程
병기재료과학여공정
Ordnance Material Science and Engineering
2010年
3期
19-22
,共4页
掺杂%有机电致发光器件%载流子平衡
摻雜%有機電緻髮光器件%載流子平衡
참잡%유궤전치발광기건%재류자평형
以F4-TCNQ为P型掺杂剂,掺入m-MTDATA作为空穴传输层,ITO导电玻璃作为阳极,Alq,作为发光层,Bphen作为电子传输层,LiF和Al分别用作电子注入层和阴极,制备有机电致发光器件.相比于未掺杂器件,电压及功率效率获得提高.这归功于P型掺杂使阳极与空穴传输层界面产生欧姆接触,及空穴传输层传导率的提高,而随着掺杂的引入及掺杂浓度的增加,注入的空穴变得过剩,使载流子不平衡变得越发严重,导致器件电流效率及亮度降低.因此,应该加强电子的注入及传输,以达到载流子平衡,同时达到降低器件电压、提高功率效率、电流效率及亮度的目的.
以F4-TCNQ為P型摻雜劑,摻入m-MTDATA作為空穴傳輸層,ITO導電玻璃作為暘極,Alq,作為髮光層,Bphen作為電子傳輸層,LiF和Al分彆用作電子註入層和陰極,製備有機電緻髮光器件.相比于未摻雜器件,電壓及功率效率穫得提高.這歸功于P型摻雜使暘極與空穴傳輸層界麵產生歐姆接觸,及空穴傳輸層傳導率的提高,而隨著摻雜的引入及摻雜濃度的增加,註入的空穴變得過剩,使載流子不平衡變得越髮嚴重,導緻器件電流效率及亮度降低.因此,應該加彊電子的註入及傳輸,以達到載流子平衡,同時達到降低器件電壓、提高功率效率、電流效率及亮度的目的.
이F4-TCNQ위P형참잡제,참입m-MTDATA작위공혈전수층,ITO도전파리작위양겁,Alq,작위발광층,Bphen작위전자전수층,LiF화Al분별용작전자주입층화음겁,제비유궤전치발광기건.상비우미참잡기건,전압급공솔효솔획득제고.저귀공우P형참잡사양겁여공혈전수층계면산생구모접촉,급공혈전수층전도솔적제고,이수착참잡적인입급참잡농도적증가,주입적공혈변득과잉,사재류자불평형변득월발엄중,도치기건전류효솔급량도강저.인차,응해가강전자적주입급전수,이체도재류자평형,동시체도강저기건전압、제고공솔효솔、전류효솔급량도적목적.
