半导体技术
半導體技術
반도체기술
SEMICONDUCTOR TECHNOLOGY
2011年
3期
238-241
,共4页
王立发%杨瑞霞%吴景峰%贾英茜
王立髮%楊瑞霞%吳景峰%賈英茜
왕립발%양서하%오경봉%가영천
pin二极管%单刀双掷开关%插入损耗%隔离度%宽带
pin二極管%單刀雙擲開關%插入損耗%隔離度%寬帶
pin이겁관%단도쌍척개관%삽입손모%격리도%관대
采用两个pin二极管设计、仿真,制作了一个8～20GHz并联结构的高功率容量的单刀双掷开关.首先通过采用一个新的电路结构,该电路结构除了传统的并联pin单刀双掷开关结构外,还有微带线匹配电路部分,克服了并联结构单刀双掷开关难以实现大的带宽的缺点.然后选择合适的二极管,根据其参数,建立开路、短路等效电路模型;利用Ansoft Designer软件对电路进行T仿真和优化.最后根据优化结果制作并测试了单刀双掷开关.该单刀双掷开关插入损耗在频率8～20GHz内小于1.7dB,在频率8～15GHz内小于1.5dB;开关隔离度在整个频带内大于21dB;在14GHz耐功率容量大于10W(CW).
採用兩箇pin二極管設計、倣真,製作瞭一箇8～20GHz併聯結構的高功率容量的單刀雙擲開關.首先通過採用一箇新的電路結構,該電路結構除瞭傳統的併聯pin單刀雙擲開關結構外,還有微帶線匹配電路部分,剋服瞭併聯結構單刀雙擲開關難以實現大的帶寬的缺點.然後選擇閤適的二極管,根據其參數,建立開路、短路等效電路模型;利用Ansoft Designer軟件對電路進行T倣真和優化.最後根據優化結果製作併測試瞭單刀雙擲開關.該單刀雙擲開關插入損耗在頻率8～20GHz內小于1.7dB,在頻率8～15GHz內小于1.5dB;開關隔離度在整箇頻帶內大于21dB;在14GHz耐功率容量大于10W(CW).
채용량개pin이겁관설계、방진,제작료일개8～20GHz병련결구적고공솔용량적단도쌍척개관.수선통과채용일개신적전로결구,해전로결구제료전통적병련pin단도쌍척개관결구외,환유미대선필배전로부분,극복료병련결구단도쌍척개관난이실현대적대관적결점.연후선택합괄적이겁관,근거기삼수,건립개로、단로등효전로모형;이용Ansoft Designer연건대전로진행T방진화우화.최후근거우화결과제작병측시료단도쌍척개관.해단도쌍척개관삽입손모재빈솔8～20GHz내소우1.7dB,재빈솔8～15GHz내소우1.5dB;개관격리도재정개빈대내대우21dB;재14GHz내공솔용량대우10W(CW).
