固体电子学研究与进展
固體電子學研究與進展
고체전자학연구여진전
RESEARCH & PROGRESS OF SOLID STATE ELECTRONICS
2011年
2期
124-129
,共6页
失配%模型%工艺波动
失配%模型%工藝波動
실배%모형%공예파동
MOSFET晶体管的精确匹配对模拟和混合集成电路最终性能至关重要,因此漏电流失配方差或标准差大小的计算伴随着MOSFET器件特征尺寸的减小一直不断地发展和演进.针对模拟集成电路设计中MOSFET漏电流失配,围绕模型和参数选取这一核心问题进行回顾、分析和总结,并说明其应用.同时研究其最新的进展情况及面临的问题,最后提出了解决失配问题的部分思路.
MOSFET晶體管的精確匹配對模擬和混閤集成電路最終性能至關重要,因此漏電流失配方差或標準差大小的計算伴隨著MOSFET器件特徵呎吋的減小一直不斷地髮展和縯進.針對模擬集成電路設計中MOSFET漏電流失配,圍繞模型和參數選取這一覈心問題進行迴顧、分析和總結,併說明其應用.同時研究其最新的進展情況及麵臨的問題,最後提齣瞭解決失配問題的部分思路.
MOSFET정체관적정학필배대모의화혼합집성전로최종성능지관중요,인차루전류실배방차혹표준차대소적계산반수착MOSFET기건특정척촌적감소일직불단지발전화연진.침대모의집성전로설계중MOSFET루전류실배,위요모형화삼수선취저일핵심문제진행회고、분석화총결,병설명기응용.동시연구기최신적진전정황급면림적문제,최후제출료해결실배문제적부분사로.
