聚合物发光器件中输运特性的模拟分析
취합물발광기건중수운특성적모의분석
Simulation Analysis of the Transport Performance of PLED
  • 万方数据
    半导体学报 반도체학보
    CHINESE JOURNAL OF SEMICONDUCTORS
    2001年 9期 1176-1181 ,共6页

    熊绍珍%赵颖%吴春亚%郝云%王跃%陈有素%杨恢东%周祯华%俞钢

    웅소진%조영%오춘아%학운%왕약%진유소%양회동%주정화%유강

    聚合物发光二极管%负阻现象%反向势垒,F-N隧穿模型%陷阱电荷限制电流(TCL)模型 聚閤物髮光二極管%負阻現象%反嚮勢壘,F-N隧穿模型%陷阱電荷限製電流(TCL)模型
    취합물발광이겁관%부조현상%반향세루,F-N수천모형%함정전하한제전류(TCL)모형
    对聚合物发光二极管I-V特性的测量发现,被测器件内存在着类似于某些无机器件中的负阻现象和"迟滞回线”状场致漂移的伏安特性.模拟分析表明,一种反向势垒的存在及其击穿,应是引起负阻现象的原因.缺陷态的存在及其电荷填充的变化,是导致I-V特性曲线随偏压扫描方向变化的主要原因.而低场下的接触性能决定着发光二级管载流子的输运性质:若为非欧姆接触,则I-V曲线可用F-N隧穿模型来描述;若为欧姆接触,则应用陷阱电荷限制电流(TCL)模型来描述.
    대취합물발광이겁관I-V특성적측량발현,피측기건내존재착유사우모사무궤기건중적부조현상화"지체회선”상장치표이적복안특성.모의분석표명,일충반향세루적존재급기격천,응시인기부조현상적원인.결함태적존재급기전하전충적변화,시도치I-V특성곡선수편압소묘방향변화적주요원인.이저장하적접촉성능결정착발광이급관재류자적수운성질:약위비구모접촉,칙I-V곡선가용F-N수천모형래묘술;약위구모접촉,칙응용함정전하한제전류(TCL)모형래묘술.
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