固体电子学研究与进展
固體電子學研究與進展
고체전자학연구여진전
RESEARCH & PROGRESS OF SOLID STATE ELECTRONICS
2002年
2期
223-226
,共4页
张文俊%闫发旺%崔奇%张荣桂%李献杰
張文俊%閆髮旺%崔奇%張榮桂%李獻傑
장문준%염발왕%최기%장영계%리헌걸
分子束外延%量子线%自组织生长%场效应管
分子束外延%量子線%自組織生長%場效應管
분자속외연%양자선%자조직생장%장효응관
利用分子束外延(MBE)技术在高指数面GaAs衬底上自组织生长了应变InGaAs/GaAs量子线材料.原子力显微镜(AFM)观测结果表明量子线的密度高达4×105/cm.低温偏振光致发光谱(PPL)研究发现其发光峰半高宽(FWHM)最小为9.2 meV,最大偏振度可达0.22.以AlGaAs为垫垒,InGaAs/GaAs量子线为沟道,成功制备了量子线场效应管(QWR-FET)结构材料,并试制了器件,获得了较好的器件结果.
利用分子束外延(MBE)技術在高指數麵GaAs襯底上自組織生長瞭應變InGaAs/GaAs量子線材料.原子力顯微鏡(AFM)觀測結果錶明量子線的密度高達4×105/cm.低溫偏振光緻髮光譜(PPL)研究髮現其髮光峰半高寬(FWHM)最小為9.2 meV,最大偏振度可達0.22.以AlGaAs為墊壘,InGaAs/GaAs量子線為溝道,成功製備瞭量子線場效應管(QWR-FET)結構材料,併試製瞭器件,穫得瞭較好的器件結果.
이용분자속외연(MBE)기술재고지수면GaAs츤저상자조직생장료응변InGaAs/GaAs양자선재료.원자력현미경(AFM)관측결과표명양자선적밀도고체4×105/cm.저온편진광치발광보(PPL)연구발현기발광봉반고관(FWHM)최소위9.2 meV,최대편진도가체0.22.이AlGaAs위점루,InGaAs/GaAs양자선위구도,성공제비료양자선장효응관(QWR-FET)결구재료,병시제료기건,획득료교호적기건결과.
