电瓷避雷器
電瓷避雷器
전자피뢰기
INSULATORS AND SURGE ARRESTERS
2004年
1期
17-22
,共6页
ZnO压敏陶瓷%势垒高度%势垒宽度
ZnO壓敏陶瓷%勢壘高度%勢壘寬度
ZnO압민도자%세루고도%세루관도
通过测量商用ZnO压敏陶瓷材料的泄漏电流I与绝对温度T,并利用场助热激发电流的表达式计算了势垒高度(活化能),发现它低于平衡状态时的势垒高度.在深入分析在电场作用下晶界区域中电子传导过程的基础上,认为这是在电导过程中通过正偏势垒向晶界界面层中注入了大量电子,这些电子不仅填充了在平衡状态下尚未填充的电子陷阱(即表面态),而且还会在界面层形成自由电子空间电荷,这些自由电子在越过反偏Schottky势垒时需要克服的就不是平衡状态时的势垒高度,显然应低于平衡状态时的势垒高度,即导带底EC的最高点与费米能级Ef的差值(通常势垒高度的定义).另外,根据场助热激发电流的表达式,提出了新的Schottky势垒宽度的计算公式,不仅求得了高场强和低场强时的势垒宽度,而且得到了势垒宽度随温度的变化规律,发现了在320K～350K温度范围内势垒宽度下降速度最快,结合介电温谱测量,证实了在此温度区间势垒宽度的快速下降是松弛过程引起的.
通過測量商用ZnO壓敏陶瓷材料的洩漏電流I與絕對溫度T,併利用場助熱激髮電流的錶達式計算瞭勢壘高度(活化能),髮現它低于平衡狀態時的勢壘高度.在深入分析在電場作用下晶界區域中電子傳導過程的基礎上,認為這是在電導過程中通過正偏勢壘嚮晶界界麵層中註入瞭大量電子,這些電子不僅填充瞭在平衡狀態下尚未填充的電子陷阱(即錶麵態),而且還會在界麵層形成自由電子空間電荷,這些自由電子在越過反偏Schottky勢壘時需要剋服的就不是平衡狀態時的勢壘高度,顯然應低于平衡狀態時的勢壘高度,即導帶底EC的最高點與費米能級Ef的差值(通常勢壘高度的定義).另外,根據場助熱激髮電流的錶達式,提齣瞭新的Schottky勢壘寬度的計算公式,不僅求得瞭高場彊和低場彊時的勢壘寬度,而且得到瞭勢壘寬度隨溫度的變化規律,髮現瞭在320K～350K溫度範圍內勢壘寬度下降速度最快,結閤介電溫譜測量,證實瞭在此溫度區間勢壘寬度的快速下降是鬆弛過程引起的.
통과측량상용ZnO압민도자재료적설루전류I여절대온도T,병이용장조열격발전류적표체식계산료세루고도(활화능),발현타저우평형상태시적세루고도.재심입분석재전장작용하정계구역중전자전도과정적기출상,인위저시재전도과정중통과정편세루향정계계면층중주입료대량전자,저사전자불부전충료재평형상태하상미전충적전자함정(즉표면태),이차환회재계면층형성자유전자공간전하,저사자유전자재월과반편Schottky세루시수요극복적취불시평형상태시적세루고도,현연응저우평형상태시적세루고도,즉도대저EC적최고점여비미능급Ef적차치(통상세루고도적정의).령외,근거장조열격발전류적표체식,제출료신적Schottky세루관도적계산공식,불부구득료고장강화저장강시적세루관도,이차득도료세루관도수온도적변화규률,발현료재320K～350K온도범위내세루관도하강속도최쾌,결합개전온보측량,증실료재차온도구간세루관도적쾌속하강시송이과정인기적.
