电子束外延生长Er2O3单晶薄膜
전자속외연생장Er2O3단정박막
Epitaxial Growth of Er2O3 Films by MBE
  • 万方数据
    江西科学 강서과학
    JIANGXI SCIENCE
    2005年 4期 299-302 ,共4页

    朱燕艳%徐润%陈圣%方泽波%薛菲%樊永良%蒋最敏

    주연염%서윤%진골%방택파%설비%번영량%장최민

    分子束外延%Er2O3%介质膜 分子束外延%Er2O3%介質膜
    분자속외연%Er2O3%개질막
    使用电子束外延的方法在p型Si(001)和Si(111)衬底上,在700℃、7×10-6Torr的条件下首次实现了Er2O3单晶薄膜的生长.薄膜的结晶情况依赖于薄膜的生长温度和氧气压.在较低的温度和较低的氧气压下在薄膜内容易生成硅化铒,薄膜也趋于多晶化.而且,生长在SiO2/Si衬底上的Er2O3单晶薄膜的结晶情况和表面粗糙度比生长在清洁的Si衬底上的薄膜要好很多.
    사용전자속외연적방법재p형Si(001)화Si(111)츤저상,재700℃、7×10-6Torr적조건하수차실현료Er2O3단정박막적생장.박막적결정정황의뢰우박막적생장온도화양기압.재교저적온도화교저적양기압하재박막내용역생성규화이,박막야추우다정화.이차,생장재SiO2/Si츤저상적Er2O3단정박막적결정정황화표면조조도비생장재청길적Si츤저상적박막요호흔다.
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