半导体学报
半導體學報
반도체학보
CHINESE JOURNAL OF SEMICONDUCTORS
2006年
9期
1586-1589
,共4页
赵妙%周代兵%谭满清%王晓东%吴旭明
趙妙%週代兵%譚滿清%王曉東%吳旭明
조묘%주대병%담만청%왕효동%오욱명
薄膜%介质光学膜%双源电子束蒸发%折射率%蒸发速率
薄膜%介質光學膜%雙源電子束蒸髮%摺射率%蒸髮速率
박막%개질광학막%쌍원전자속증발%절사솔%증발속솔
用双源电子束蒸发的方法,在K9玻璃基片上蒸镀Si和SiO2的混合膜.通过改变两种膜料蒸发速率的比例,得到的各个膜层,其折射率大小在两种膜料折射率之间的范围内变化.从实验上得出了混合膜层的折射率随Si和SiO2蒸发速率比变化的规律,并讨论了这种淀积方法的优越性.
用雙源電子束蒸髮的方法,在K9玻璃基片上蒸鍍Si和SiO2的混閤膜.通過改變兩種膜料蒸髮速率的比例,得到的各箇膜層,其摺射率大小在兩種膜料摺射率之間的範圍內變化.從實驗上得齣瞭混閤膜層的摺射率隨Si和SiO2蒸髮速率比變化的規律,併討論瞭這種澱積方法的優越性.
용쌍원전자속증발적방법,재K9파리기편상증도Si화SiO2적혼합막.통과개변량충막료증발속솔적비례,득도적각개막층,기절사솔대소재량충막료절사솔지간적범위내변화.종실험상득출료혼합막층적절사솔수Si화SiO2증발속솔비변화적규률,병토론료저충정적방법적우월성.
