化学学报
化學學報
화학학보
ACTA CHIMICA SINICA
2007年
9期
871-875
,共5页
孟秀霞%杨乃涛%谭小耀%郭红
孟秀霞%楊迺濤%譚小耀%郭紅
맹수하%양내도%담소요%곽홍
层层自组装%AAO模板%纳米管
層層自組裝%AAO模闆%納米管
층층자조장%AAO모판%납미관
在阳极多孔氧化铝模板中利用层层自组装技术制备出了高度有序的聚电解质磺化酞菁铜(CuTsPc)/4,4'-联吡啶盐酸盐(DPDCH)纳米管,并对其组装过程用UV-Vis,XRD和FT-IR进行了分析,纳米管的微观形貌通过SEM和TEM进行表征.结果表明,第一层CuTsPc和第二层DPDCH在AAO模板上的沉积平衡时间均约为60 min,沉积过程主要有三个阶段:模板孔外的吸附过程、孔内扩散控制的沉积过程和孔内表面沉积控制过程.CuTsPc主要以磺酸根吸附于AAO模板上.CuTsPc/DPDCH纳米管为非晶态体系.CuTsPc/DPDCH纳米管的外径和壁厚分别为200和20 nm,外径受控于AAO模板的孔径,壁厚与组装的层数有关,利用此方法还可以制备其他带有相反电荷的有机小分子对纳米管或纳米线.
在暘極多孔氧化鋁模闆中利用層層自組裝技術製備齣瞭高度有序的聚電解質磺化酞菁銅(CuTsPc)/4,4'-聯吡啶鹽痠鹽(DPDCH)納米管,併對其組裝過程用UV-Vis,XRD和FT-IR進行瞭分析,納米管的微觀形貌通過SEM和TEM進行錶徵.結果錶明,第一層CuTsPc和第二層DPDCH在AAO模闆上的沉積平衡時間均約為60 min,沉積過程主要有三箇階段:模闆孔外的吸附過程、孔內擴散控製的沉積過程和孔內錶麵沉積控製過程.CuTsPc主要以磺痠根吸附于AAO模闆上.CuTsPc/DPDCH納米管為非晶態體繫.CuTsPc/DPDCH納米管的外徑和壁厚分彆為200和20 nm,外徑受控于AAO模闆的孔徑,壁厚與組裝的層數有關,利用此方法還可以製備其他帶有相反電荷的有機小分子對納米管或納米線.
재양겁다공양화려모판중이용층층자조장기술제비출료고도유서적취전해질광화태정동(CuTsPc)/4,4'-련필정염산염(DPDCH)납미관,병대기조장과정용UV-Vis,XRD화FT-IR진행료분석,납미관적미관형모통과SEM화TEM진행표정.결과표명,제일층CuTsPc화제이층DPDCH재AAO모판상적침적평형시간균약위60 min,침적과정주요유삼개계단:모판공외적흡부과정、공내확산공제적침적과정화공내표면침적공제과정.CuTsPc주요이광산근흡부우AAO모판상.CuTsPc/DPDCH납미관위비정태체계.CuTsPc/DPDCH납미관적외경화벽후분별위200화20 nm,외경수공우AAO모판적공경,벽후여조장적층수유관,이용차방법환가이제비기타대유상반전하적유궤소분자대납미관혹납미선.
