分析化学
分析化學
분석화학
CHINESE JOURNAL OF ANALYTICAL CHEMISTRY
2007年
5期
623-627
,共5页
孔泳%陈恒武%云晓%郝振霞%方肇伦
孔泳%陳恆武%雲曉%郝振霞%方肇倫
공영%진항무%운효%학진하%방조륜
光刻掩膜%AZ光胶%聚碳酸酯%光化学改性%金微电极
光刻掩膜%AZ光膠%聚碳痠酯%光化學改性%金微電極
광각엄막%AZ광효%취탄산지%광화학개성%금미전겁
紫外光谱研究表明,AZ正性光胶当厚度大于10 μm时,在200～285 nm的紫外光区几乎不透光.本研究据此研制了一种以固化后的AZ光胶做挡光层、石英玻璃做底板的紫外光刻掩膜.应用AZ光胶掩膜对聚碳酸酯(PC)表面进行以低压汞灯(主要辐射254 nm紫外光)为光源的选择性光化学改性,在光照区域形成化学镀所需的催化中心后,采用化学镀技术,在PC毛细管电泳芯片上制备安培检测用的集成化金微电极.本掩膜材料简单,制作方便,无须洁净实验室和贵重的设备,成本低廉.
紫外光譜研究錶明,AZ正性光膠噹厚度大于10 μm時,在200～285 nm的紫外光區幾乎不透光.本研究據此研製瞭一種以固化後的AZ光膠做擋光層、石英玻璃做底闆的紫外光刻掩膜.應用AZ光膠掩膜對聚碳痠酯(PC)錶麵進行以低壓汞燈(主要輻射254 nm紫外光)為光源的選擇性光化學改性,在光照區域形成化學鍍所需的催化中心後,採用化學鍍技術,在PC毛細管電泳芯片上製備安培檢測用的集成化金微電極.本掩膜材料簡單,製作方便,無鬚潔淨實驗室和貴重的設備,成本低廉.
자외광보연구표명,AZ정성광효당후도대우10 μm시,재200～285 nm적자외광구궤호불투광.본연구거차연제료일충이고화후적AZ광효주당광층、석영파리주저판적자외광각엄막.응용AZ광효엄막대취탄산지(PC)표면진행이저압홍등(주요복사254 nm자외광)위광원적선택성광화학개성,재광조구역형성화학도소수적최화중심후,채용화학도기술,재PC모세관전영심편상제비안배검측용적집성화금미전겁.본엄막재료간단,제작방편,무수길정실험실화귀중적설비,성본저렴.
