实验研究光谱非相关激光辐照下光伏型HgCdTe探测器芯片前后表面的温升
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The Experimental Research of Temperature Rise of the Fore and After Surface of the Chip of Photovoltaic HgCdTe Detector Irradiated by Spectral Unrelated Laser
  • 万方数据
    国防科技大学学报 국방과기대학학보
    JOURNAL OF NATIONAL UNIVERSITY OF DEFENSE TECHNOLOGY
    2011年 2期 9-12 ,共4页

    江天%程湘爱%李莉%郑鑫%江厚满%陆启生%田宏%卞静

    강천%정상애%리리%정흠%강후만%륙계생%전굉%변정

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    为了研究光谱非相关激光辐照下探测器芯片前后表面温度变化规律,通过铂电阻测温的方法,测量了芯片后表面的温度变化规律.通过标定芯片前表面结电场分离电子-空穴对能力随温度变化的关系,利用组合激光的实验方法测量了光谱非相关激光辐照过程中芯片前表面的温度变化规律.研究表明,光谱非相关激光辐照过程中芯片前后表面都有温升,但后表面温度一直高于前表面温度.
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