微电子学
微電子學
미전자학
MICROELECTRONICS
2004年
5期
510-513
,共4页
槽栅MOSFET%掺杂%短沟道效应%热载流子退化
槽柵MOSFET%摻雜%短溝道效應%熱載流子退化
조책MOSFET%참잡%단구도효응%열재류자퇴화
讨论了槽栅结构nMOSFET的掺杂浓度对器件特性的影响,并通过二维器件仿真程序PISCES-Ⅱ进行了计算模拟比较.结果表明,提高衬底掺杂浓度,能使源漏区与沟道之间的拐角效应增大,对热载流子效应抑制的作用明显;提高沟道掺杂浓度,能减小沟道电荷的调制效应,使阈值电压更好.调节沟道掺杂浓度比调节衬底掺杂浓度对器件的影响更大.
討論瞭槽柵結構nMOSFET的摻雜濃度對器件特性的影響,併通過二維器件倣真程序PISCES-Ⅱ進行瞭計算模擬比較.結果錶明,提高襯底摻雜濃度,能使源漏區與溝道之間的枴角效應增大,對熱載流子效應抑製的作用明顯;提高溝道摻雜濃度,能減小溝道電荷的調製效應,使閾值電壓更好.調節溝道摻雜濃度比調節襯底摻雜濃度對器件的影響更大.
토론료조책결구nMOSFET적참잡농도대기건특성적영향,병통과이유기건방진정서PISCES-Ⅱ진행료계산모의비교.결과표명,제고츤저참잡농도,능사원루구여구도지간적괴각효응증대,대열재류자효응억제적작용명현;제고구도참잡농도,능감소구도전하적조제효응,사역치전압경호.조절구도참잡농도비조절츤저참잡농도대기건적영향경대.
