电子器件
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전자기건
JOURNAL OF ELECTRON DEVICES
2006年
2期
357-359,364
,共4页
过温保护电路%BiCMOS%PTAT电流源
過溫保護電路%BiCMOS%PTAT電流源
과온보호전로%BiCMOS%PTAT전류원
在分析现有过温保护电路的基础上,针对它们电路结构复杂、功耗较高、工作电压高等缺点提出了一种用于集成电路内部的采用BiCMOS工艺的过温保护电路,电路结构简单、功耗较低、工作电压低、抗干扰能力强,对温度的迟滞特性避免了热振荡对芯片带来的危害.采用0.6 μm BiCMOS工艺的HSPICE仿真结果表明,该电路对因电源电压、和工艺参数变化而引起的温度迟滞特性的漂移具有很强的抑制能力.
在分析現有過溫保護電路的基礎上,針對它們電路結構複雜、功耗較高、工作電壓高等缺點提齣瞭一種用于集成電路內部的採用BiCMOS工藝的過溫保護電路,電路結構簡單、功耗較低、工作電壓低、抗榦擾能力彊,對溫度的遲滯特性避免瞭熱振盪對芯片帶來的危害.採用0.6 μm BiCMOS工藝的HSPICE倣真結果錶明,該電路對因電源電壓、和工藝參數變化而引起的溫度遲滯特性的漂移具有很彊的抑製能力.
재분석현유과온보호전로적기출상,침대타문전로결구복잡、공모교고、공작전압고등결점제출료일충용우집성전로내부적채용BiCMOS공예적과온보호전로,전로결구간단、공모교저、공작전압저、항간우능력강,대온도적지체특성피면료열진탕대심편대래적위해.채용0.6 μm BiCMOS공예적HSPICE방진결과표명,해전로대인전원전압、화공예삼수변화이인기적온도지체특성적표이구유흔강적억제능력.
