发光学报
髮光學報
발광학보
CHINESE JOURNAL OF LUMINESCENCE
2008年
5期
805-808
,共4页
CdxZn1-xO:Eu3+%稀土%白光LED%荧光粉
CdxZn1-xO:Eu3+%稀土%白光LED%熒光粉
CdxZn1-xO:Eu3+%희토%백광LED%형광분
采用高温固相法在1 100 ℃下合成了Eu3+掺杂的CdxZn1-xO发光材料.采用X射线衍射对所合成样品的结构进行了表征.分析了不同浓度Cd2+的掺杂对于样品发光及激发峰位置的影响.通过对荧光光谱的测试,表明Cd2+的引入使得体系的禁带宽度变窄,并且通过Cd2+掺杂浓度的变化,可以对样品的激发光谱峰值在380~410 nm进行调制,样品的发光以520 nm处的宽带发射为主,并没有明显的Eu3+的特征发射,表明基质与Eu3+之间的能量传递并不有效.在加入Li+作为电荷补偿剂之后,出现了来自Eu3+的特征发射,相应的发射光谱的发射主峰位于609 nm.样品380~410 nm的激发峰范围覆盖了紫外LED芯片的输出波长.因此,这种荧光粉是一种可能应用在白光LED上的红色荧光粉材料.
採用高溫固相法在1 100 ℃下閤成瞭Eu3+摻雜的CdxZn1-xO髮光材料.採用X射線衍射對所閤成樣品的結構進行瞭錶徵.分析瞭不同濃度Cd2+的摻雜對于樣品髮光及激髮峰位置的影響.通過對熒光光譜的測試,錶明Cd2+的引入使得體繫的禁帶寬度變窄,併且通過Cd2+摻雜濃度的變化,可以對樣品的激髮光譜峰值在380~410 nm進行調製,樣品的髮光以520 nm處的寬帶髮射為主,併沒有明顯的Eu3+的特徵髮射,錶明基質與Eu3+之間的能量傳遞併不有效.在加入Li+作為電荷補償劑之後,齣現瞭來自Eu3+的特徵髮射,相應的髮射光譜的髮射主峰位于609 nm.樣品380~410 nm的激髮峰範圍覆蓋瞭紫外LED芯片的輸齣波長.因此,這種熒光粉是一種可能應用在白光LED上的紅色熒光粉材料.
채용고온고상법재1 100 ℃하합성료Eu3+참잡적CdxZn1-xO발광재료.채용X사선연사대소합성양품적결구진행료표정.분석료불동농도Cd2+적참잡대우양품발광급격발봉위치적영향.통과대형광광보적측시,표명Cd2+적인입사득체계적금대관도변착,병차통과Cd2+참잡농도적변화,가이대양품적격발광보봉치재380~410 nm진행조제,양품적발광이520 nm처적관대발사위주,병몰유명현적Eu3+적특정발사,표명기질여Eu3+지간적능량전체병불유효.재가입Li+작위전하보상제지후,출현료래자Eu3+적특정발사,상응적발사광보적발사주봉위우609 nm.양품380~410 nm적격발봉범위복개료자외LED심편적수출파장.인차,저충형광분시일충가능응용재백광LED상적홍색형광분재료.