半导体技术
半導體技術
반도체기술
SEMICONDUCTOR TECHNOLOGY
2011年
3期
177-181,193
,共6页
董雅娟%张俊兵%林岳明%金豫浙%王书昶%曾祥华
董雅娟%張俊兵%林嶽明%金豫浙%王書昶%曾祥華
동아연%장준병%림악명%금예절%왕서창%증상화
GaN%电极形状%发光二极管%寿命%光电性能
GaN%電極形狀%髮光二極管%壽命%光電性能
GaN%전겁형상%발광이겁관%수명%광전성능
对前期工作中使用Crosslight APSYS软件模拟的6种优化电极的GaN基InGaN/GaN多量子阱蓝光LED芯片进行试制并测试分析,将实验结果与软件模拟结果进行比较,并进行可靠性分析.结果表明,优化电极的实验结果和软件模拟结果基本吻合,优化电极的光学、电学等特性的确有明显改善,芯片出光效率也有提升.对称型指形在光通量、光效和电压(电流为20mA)等方面在这6种电极中最优;旋转形电极的寿命在预测中最高,为37000h,对称型指形位居第二;老化对优化电极的影响与未优化电极相差不多,所以综合考虑,对称型指形的性能最优.
對前期工作中使用Crosslight APSYS軟件模擬的6種優化電極的GaN基InGaN/GaN多量子阱藍光LED芯片進行試製併測試分析,將實驗結果與軟件模擬結果進行比較,併進行可靠性分析.結果錶明,優化電極的實驗結果和軟件模擬結果基本吻閤,優化電極的光學、電學等特性的確有明顯改善,芯片齣光效率也有提升.對稱型指形在光通量、光效和電壓(電流為20mA)等方麵在這6種電極中最優;鏇轉形電極的壽命在預測中最高,為37000h,對稱型指形位居第二;老化對優化電極的影響與未優化電極相差不多,所以綜閤攷慮,對稱型指形的性能最優.
대전기공작중사용Crosslight APSYS연건모의적6충우화전겁적GaN기InGaN/GaN다양자정람광LED심편진행시제병측시분석,장실험결과여연건모의결과진행비교,병진행가고성분석.결과표명,우화전겁적실험결과화연건모의결과기본문합,우화전겁적광학、전학등특성적학유명현개선,심편출광효솔야유제승.대칭형지형재광통량、광효화전압(전류위20mA)등방면재저6충전겁중최우;선전형전겁적수명재예측중최고,위37000h,대칭형지형위거제이;노화대우화전겁적영향여미우화전겁상차불다,소이종합고필,대칭형지형적성능최우.
