人工晶体学报
人工晶體學報
인공정체학보
2011年
5期
1258-1260,1265
,共4页
微波熔盐沉积%AlN纳米晶%光致发光
微波鎔鹽沉積%AlN納米晶%光緻髮光
미파용염침적%AlN납미정%광치발광
以高纯AlCl3和Li3N为反应原料,NaCl和KCl为混合熔盐,使用微波熔盐沉积法在700℃制备出A1N纳米晶.利用XRD、SEM、EDS等对纳米晶的物相、形貌进行了定性和定量表征,并使用PL测试了材料的光学性质,分析了主要缺陷类型.XRD测试结果表明,实验获得产物为六方纤锌矿结构的AlN.使用Scherrer公式估算了AlN 产物的晶粒平均粒度大小约为35.6 nm,表明所得确为AlN纳米晶.SEM观测到的纳米晶形貌为方形,分布均匀且晶粒形状几近,平均粒度约为35 nm.EDS测试结果显示AlN纳米晶中Al和N的原子相对百分含量为50.521％和49.479％,其化学配比几近于1∶1物质的量比.室温PL测试发现发光中心在435 nm,缺陷主要是杂质缺陷类型.以上结果充分表明微波熔盐沉积法是一种制备AlN纳米晶的有效方式.
以高純AlCl3和Li3N為反應原料,NaCl和KCl為混閤鎔鹽,使用微波鎔鹽沉積法在700℃製備齣A1N納米晶.利用XRD、SEM、EDS等對納米晶的物相、形貌進行瞭定性和定量錶徵,併使用PL測試瞭材料的光學性質,分析瞭主要缺陷類型.XRD測試結果錶明,實驗穫得產物為六方纖鋅礦結構的AlN.使用Scherrer公式估算瞭AlN 產物的晶粒平均粒度大小約為35.6 nm,錶明所得確為AlN納米晶.SEM觀測到的納米晶形貌為方形,分佈均勻且晶粒形狀幾近,平均粒度約為35 nm.EDS測試結果顯示AlN納米晶中Al和N的原子相對百分含量為50.521％和49.479％,其化學配比幾近于1∶1物質的量比.室溫PL測試髮現髮光中心在435 nm,缺陷主要是雜質缺陷類型.以上結果充分錶明微波鎔鹽沉積法是一種製備AlN納米晶的有效方式.
이고순AlCl3화Li3N위반응원료,NaCl화KCl위혼합용염,사용미파용염침적법재700℃제비출A1N납미정.이용XRD、SEM、EDS등대납미정적물상、형모진행료정성화정량표정,병사용PL측시료재료적광학성질,분석료주요결함류형.XRD측시결과표명,실험획득산물위륙방섬자광결구적AlN.사용Scherrer공식고산료AlN 산물적정립평균립도대소약위35.6 nm,표명소득학위AlN납미정.SEM관측도적납미정형모위방형,분포균균차정립형상궤근,평균립도약위35 nm.EDS측시결과현시AlN납미정중Al화N적원자상대백분함량위50.521％화49.479％,기화학배비궤근우1∶1물질적량비.실온PL측시발현발광중심재435 nm,결함주요시잡질결함류형.이상결과충분표명미파용염침적법시일충제비AlN납미정적유효방식.
