半导体学报
半導體學報
반도체학보
CHINESE JOURNAL OF SEMICONDUCTORS
2004年
8期
1009-1012
,共4页
韩德栋%康晋锋%王成钢%刘晓彦%韩汝琦%王玮
韓德棟%康晉鋒%王成鋼%劉曉彥%韓汝琦%王瑋
한덕동%강진봉%왕성강%류효언%한여기%왕위
恒电流应力%高k%HfO2%击穿
恆電流應力%高k%HfO2%擊穿
항전류응력%고k%HfO2%격천
利用磁控溅射的方法在p-Si上制备了高k(高介电常数)栅介质HfO2薄膜的MOS电容,对薄栅氧化层电容的软击穿和硬击穿特性进行了实验研究.利用在栅极加恒电流应力的方法研究了不同面积HfO2薄栅介质的击穿特性以及击穿对栅介质的I-V特性和C-V特性的影响.实验结果表明薄栅介质的击穿过程中有很明显的软击穿现象发生,与栅氧化层面积有很大的关系,面积大的电容比较容易发生击穿.分析比较了软击穿和硬击穿的区别,并利用统计分析模型对薄栅介质的击穿机理进行了解释.
利用磁控濺射的方法在p-Si上製備瞭高k(高介電常數)柵介質HfO2薄膜的MOS電容,對薄柵氧化層電容的軟擊穿和硬擊穿特性進行瞭實驗研究.利用在柵極加恆電流應力的方法研究瞭不同麵積HfO2薄柵介質的擊穿特性以及擊穿對柵介質的I-V特性和C-V特性的影響.實驗結果錶明薄柵介質的擊穿過程中有很明顯的軟擊穿現象髮生,與柵氧化層麵積有很大的關繫,麵積大的電容比較容易髮生擊穿.分析比較瞭軟擊穿和硬擊穿的區彆,併利用統計分析模型對薄柵介質的擊穿機理進行瞭解釋.
이용자공천사적방법재p-Si상제비료고k(고개전상수)책개질HfO2박막적MOS전용,대박책양화층전용적연격천화경격천특성진행료실험연구.이용재책겁가항전류응력적방법연구료불동면적HfO2박책개질적격천특성이급격천대책개질적I-V특성화C-V특성적영향.실험결과표명박책개질적격천과정중유흔명현적연격천현상발생,여책양화층면적유흔대적관계,면적대적전용비교용역발생격천.분석비교료연격천화경격천적구별,병이용통계분석모형대박책개질적격천궤리진행료해석.
