固体电子学研究与进展
固體電子學研究與進展
고체전자학연구여진전
RESEARCH & PROGRESS OF SOLID STATE ELECTRONICS
2006年
2期
162-165
,共4页
李竞春%谭静%梅丁蕾%张静%徐婉静
李競春%譚靜%梅丁蕾%張靜%徐婉靜
리경춘%담정%매정뢰%장정%서완정
低温硅%锗硅%p型场效应晶体管
低溫硅%鍺硅%p型場效應晶體管
저온규%타규%p형장효응정체관
针对Si/SiGe p-MOSFET的虚拟SiGe衬底厚度较大(大于1 μm)的问题,采用低温Si技术在Si缓冲层和虚拟SiGe衬底之间MBE生长低温-Si层.SiGe层应力通过低温-Si层释放,达到应变弛豫.XRD和AFM测试表明,Si0.8Ge0.2层厚度可减薄至300 nm,其弛豫度大于85%,表面平均粗糙度仅为1.02 nm.试制出应变Si/SiGe p-MOSFET器件,最大空穴迁移率达到112 cm2/Vs,其性能略优于目前多采用1 μm厚虚拟SiGe衬底的器件.
針對Si/SiGe p-MOSFET的虛擬SiGe襯底厚度較大(大于1 μm)的問題,採用低溫Si技術在Si緩遲層和虛擬SiGe襯底之間MBE生長低溫-Si層.SiGe層應力通過低溫-Si層釋放,達到應變弛豫.XRD和AFM測試錶明,Si0.8Ge0.2層厚度可減薄至300 nm,其弛豫度大于85%,錶麵平均粗糙度僅為1.02 nm.試製齣應變Si/SiGe p-MOSFET器件,最大空穴遷移率達到112 cm2/Vs,其性能略優于目前多採用1 μm厚虛擬SiGe襯底的器件.
침대Si/SiGe p-MOSFET적허의SiGe츤저후도교대(대우1 μm)적문제,채용저온Si기술재Si완충층화허의SiGe츤저지간MBE생장저온-Si층.SiGe층응력통과저온-Si층석방,체도응변이예.XRD화AFM측시표명,Si0.8Ge0.2층후도가감박지300 nm,기이예도대우85%,표면평균조조도부위1.02 nm.시제출응변Si/SiGe p-MOSFET기건,최대공혈천이솔체도112 cm2/Vs,기성능략우우목전다채용1 μm후허의SiGe츤저적기건.
