压电与声光
壓電與聲光
압전여성광
PIEZOELECTRICS & ACOUSTOOPTICS
2006年
5期
575-577
,共3页
朱兴文%李勇强%陆液%李英伟%夏义本
硃興文%李勇彊%陸液%李英偉%夏義本
주흥문%리용강%륙액%리영위%하의본
ZnO薄膜%磁控溅射法%Li掺杂%高射频(RF)功率%室温光致发光(PL)谱
ZnO薄膜%磁控濺射法%Li摻雜%高射頻(RF)功率%室溫光緻髮光(PL)譜
ZnO박막%자공천사법%Li참잡%고사빈(RF)공솔%실온광치발광(PL)보
实验采用射频(RF)磁控溅射法在高射频功率(550 W)下制备了Zn0.9Li0.1O薄膜,探讨了薄膜的光学性能,并与低溅射功率制备的薄膜性能进行了比较.结果表明,高功率下溅射的薄膜晶粒均匀细小,表面平整致密,在可见光波长范围内,透过率达80%.该薄膜的光学带隙约3.29 eV,明显低于低功率溅射的薄膜(3.44 eV).其室温光致发光(PL)谱结果显示,最强峰是由Li杂质能级引起的399 nm峰,热处理后,370 nm的带间发光峰增强,而低功率制备的薄膜其PL谱与纯ZnO材料的特征谱相似.
實驗採用射頻(RF)磁控濺射法在高射頻功率(550 W)下製備瞭Zn0.9Li0.1O薄膜,探討瞭薄膜的光學性能,併與低濺射功率製備的薄膜性能進行瞭比較.結果錶明,高功率下濺射的薄膜晶粒均勻細小,錶麵平整緻密,在可見光波長範圍內,透過率達80%.該薄膜的光學帶隙約3.29 eV,明顯低于低功率濺射的薄膜(3.44 eV).其室溫光緻髮光(PL)譜結果顯示,最彊峰是由Li雜質能級引起的399 nm峰,熱處理後,370 nm的帶間髮光峰增彊,而低功率製備的薄膜其PL譜與純ZnO材料的特徵譜相似.
실험채용사빈(RF)자공천사법재고사빈공솔(550 W)하제비료Zn0.9Li0.1O박막,탐토료박막적광학성능,병여저천사공솔제비적박막성능진행료비교.결과표명,고공솔하천사적박막정립균균세소,표면평정치밀,재가견광파장범위내,투과솔체80%.해박막적광학대극약3.29 eV,명현저우저공솔천사적박막(3.44 eV).기실온광치발광(PL)보결과현시,최강봉시유Li잡질능급인기적399 nm봉,열처리후,370 nm적대간발광봉증강,이저공솔제비적박막기PL보여순ZnO재료적특정보상사.
