高性能1mm SiC基AlGaN/GaN功率HEMT研制
고성능1mm SiC기AlGaN/GaN공솔HEMT연제
Fabrication of a High-Performance 1mm AlGaN/GaN HEMT on SiC Substrate
  • 万方数据
    半导体学报 반도체학보
    CHINESE JOURNAL OF SEMICONDUCTORS
    2006年 11期 1981-1983 ,共3页

    罗卫军%陈晓娟%李成瞻%刘新宇%和致经%魏珂%梁晓新%王晓亮

    라위군%진효연%리성첨%류신우%화치경%위가%량효신%왕효량

    AlGaN/GaN%高电子迁移率晶体管%微波功率%功率增益 AlGaN/GaN%高電子遷移率晶體管%微波功率%功率增益
    AlGaN/GaN%고전자천이솔정체관%미파공솔%공솔증익
    在6H-SiC衬底上,外延生长了AlGaN/GaN HEMT结构,设计并实现了高性能1mm AlGaN/GaN微波功率HEMT,外延材料利用金属有机物化学气相淀积技术生长.测试表明,该lmm栅宽器件栅长为0.8μm,输出电流密度达到1.16A/mm,跨导为241mS/mm,击穿电压＞80V,特征频率达到20GHz,最大振荡频率为28GHz.5.4GHz连续波测试下功率增益为14.2dB,输出功率达4.1W,脉冲条件测试下功率增益为14.4dB,输出功率为5.2W,两端口阻抗特性显示了在微波应用中的良好潜力.
    재6H-SiC츤저상,외연생장료AlGaN/GaN HEMT결구,설계병실현료고성능1mm AlGaN/GaN미파공솔HEMT,외연재료이용금속유궤물화학기상정적기술생장.측시표명,해lmm책관기건책장위0.8μm,수출전류밀도체도1.16A/mm,과도위241mS/mm,격천전압＞80V,특정빈솔체도20GHz,최대진탕빈솔위28GHz.5.4GHz련속파측시하공솔증익위14.2dB,수출공솔체4.1W,맥충조건측시하공솔증익위14.4dB,수출공솔위5.2W,량단구조항특성현시료재미파응용중적량호잠력.
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