物理学报
物理學報
물이학보
2008年
2期
1266-1270
,共5页
唐欣欣%罗文芸%王朝壮%贺新福%查元梓%樊胜%黄小龙%王传珊
唐訢訢%囉文蕓%王朝壯%賀新福%查元梓%樊勝%黃小龍%王傳珊
당흔흔%라문예%왕조장%하신복%사원재%번성%황소룡%왕전산
低能质子%非电离能损%硅%砷化镓*国家自然科学基金(批准号:10305021)资助的课题.
低能質子%非電離能損%硅%砷化鎵*國傢自然科學基金(批準號:10305021)資助的課題.
저능질자%비전리능손%규%신화가*국가자연과학기금(비준호:10305021)자조적과제.
非电离能损(NIEL)引起的位移损伤是导致空间辐射环境中新型光电器件失效的主要因素.由于低能时库仑相互作用占主导地位,一般采用Mott-Rutherford微分散射截面,但它没考虑核外电子库仑屏蔽的影响.为此,本文采用解析法和基于Monte-Carlo方法的SRIM程序计算了考虑库仑屏蔽效应后低能质子在半导体材料Si,GaAs中的NIEL,SRIM程序在计算过程中采用薄靶近似法, 并与其他作者的计算数据和实验数据进行了比较.结果表明:用SRIM程序计算NIEL时采用薄靶近似法处理是比较合理的,同时考虑库仑屏蔽效应后的NIEL较没考虑前要小,当能量为1 keV时,Si材料中NIEL的值为Summers结果的30%,GaAs材料中为20%,这在航天设计中有着重要的意义.
非電離能損(NIEL)引起的位移損傷是導緻空間輻射環境中新型光電器件失效的主要因素.由于低能時庫崙相互作用佔主導地位,一般採用Mott-Rutherford微分散射截麵,但它沒攷慮覈外電子庫崙屏蔽的影響.為此,本文採用解析法和基于Monte-Carlo方法的SRIM程序計算瞭攷慮庫崙屏蔽效應後低能質子在半導體材料Si,GaAs中的NIEL,SRIM程序在計算過程中採用薄靶近似法, 併與其他作者的計算數據和實驗數據進行瞭比較.結果錶明:用SRIM程序計算NIEL時採用薄靶近似法處理是比較閤理的,同時攷慮庫崙屏蔽效應後的NIEL較沒攷慮前要小,噹能量為1 keV時,Si材料中NIEL的值為Summers結果的30%,GaAs材料中為20%,這在航天設計中有著重要的意義.
비전리능손(NIEL)인기적위이손상시도치공간복사배경중신형광전기건실효적주요인소.유우저능시고륜상호작용점주도지위,일반채용Mott-Rutherford미분산사절면,단타몰고필핵외전자고륜병폐적영향.위차,본문채용해석법화기우Monte-Carlo방법적SRIM정서계산료고필고륜병폐효응후저능질자재반도체재료Si,GaAs중적NIEL,SRIM정서재계산과정중채용박파근사법, 병여기타작자적계산수거화실험수거진행료비교.결과표명:용SRIM정서계산NIEL시채용박파근사법처리시비교합리적,동시고필고륜병폐효응후적NIEL교몰고필전요소,당능량위1 keV시,Si재료중NIEL적치위Summers결과적30%,GaAs재료중위20%,저재항천설계중유착중요적의의.
