应用光学
應用光學
응용광학
JOURNAL OF APPLIED OPTICS
2008年
3期
360-363
,共4页
朱宇峰%张太民%聂晶%师宏立
硃宇峰%張太民%聶晶%師宏立
주우봉%장태민%섭정%사굉립
磁控溅射%微通道板(MCP)%防离子反馈膜
磁控濺射%微通道闆(MCP)%防離子反饋膜
자공천사%미통도판(MCP)%방리자반궤막
为消除反馈正离子对三代微光夜视器件光阴极的有害轰击,提高微光像增强器的工作寿命,开展了低磁控溅射率法沉积微通道板(MCP)Al2O3防离子反馈膜的工艺研究.通过优化制备工艺,获得了制备MCP防离子反馈膜的最佳沉积条件:溅射电压1000 V,溅射气压(4～5)×10-2Pa,沉积速率0.5 nm/min等.研究结果表明:在此工艺条件下,能够制备出均匀、致密且通孔满足质量要求的MCP防离子反馈膜.如果偏离这一最佳工艺条件,制备出的MCP防离子反馈膜膜层疏松、不连续,且通孔不能满足要求.
為消除反饋正離子對三代微光夜視器件光陰極的有害轟擊,提高微光像增彊器的工作壽命,開展瞭低磁控濺射率法沉積微通道闆(MCP)Al2O3防離子反饋膜的工藝研究.通過優化製備工藝,穫得瞭製備MCP防離子反饋膜的最佳沉積條件:濺射電壓1000 V,濺射氣壓(4～5)×10-2Pa,沉積速率0.5 nm/min等.研究結果錶明:在此工藝條件下,能夠製備齣均勻、緻密且通孔滿足質量要求的MCP防離子反饋膜.如果偏離這一最佳工藝條件,製備齣的MCP防離子反饋膜膜層疏鬆、不連續,且通孔不能滿足要求.
위소제반궤정리자대삼대미광야시기건광음겁적유해굉격,제고미광상증강기적공작수명,개전료저자공천사솔법침적미통도판(MCP)Al2O3방리자반궤막적공예연구.통과우화제비공예,획득료제비MCP방리자반궤막적최가침적조건:천사전압1000 V,천사기압(4～5)×10-2Pa,침적속솔0.5 nm/min등.연구결과표명:재차공예조건하,능구제비출균균、치밀차통공만족질량요구적MCP방리자반궤막.여과편리저일최가공예조건,제비출적MCP방리자반궤막막층소송、불련속,차통공불능만족요구.
